常州第六元素半导体有限公司王炜获国家专利权
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龙图腾网获悉常州第六元素半导体有限公司申请的专利一种自支撑多晶金刚石制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117051475B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210490046.0，技术领域涉及：C30B28/14；该发明授权一种自支撑多晶金刚石制备方法是由王炜;沈大勇;谭化兵;瞿研设计研发完成，并于2022-05-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种自支撑多晶金刚石制备方法在说明书摘要公布了：本方案公开了一种自支撑多晶金刚石制备方法，该方法包括在传统金刚石的生长衬底的生长面，逐层转移多层石墨烯薄膜，制备成含中间层的生长衬底；在含中间层的生长衬底表面，生长制备多晶金刚石片；多晶金刚石片生长完成后，降温取出，通过纯机械法辅助剥离金刚石片，剥离金刚石后的生长衬底可以重复使用。该方法可高质量生长多晶金刚石，解决了多晶金刚石生长过程中出现裂纹，生长完成后因剥离衬底产生的污染及高成本，工序多，时间长和资源浪费等问题。
本发明授权一种自支撑多晶金刚石制备方法在权利要求书中公布了：1.一种自支撑多晶金刚石制备方法，其特征在于，该方法包括： 以物理剥离的方式，将衬底与在所述衬底上生长的自支撑多晶金刚石分离，获得自支撑多晶金刚石； 其中，物理剥离发生在自支撑多晶金刚石生长完成降温过程中或取出后，所述自支撑多晶金刚石为片状或膜状； 在衬底与在所述衬底上生长的自支撑多晶金刚石之间具有一中间层；所述自支撑多晶金刚石在所述中间层的表面上生长； 所述中间层为石墨烯层； 所述石墨烯层包含两层或两层以上的石墨烯薄膜； 所述石墨烯层通过逐层转移的方式转移到所述衬底表面上； 所述自支撑多晶金刚石在所述石墨烯层表面上生长； 所述衬底的材质包括碳化硅，硅，蓝宝石，石英，玻璃和金属中的一种或由其中几种形成的复合材料。
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