京东方科技集团股份有限公司;云南创视界光电科技有限公司;北京京东方技术开发有限公司贡云芳获国家专利权
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龙图腾网获悉京东方科技集团股份有限公司;云南创视界光电科技有限公司;北京京东方技术开发有限公司申请的专利显示基板及其制备方法、显示装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117119840B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310934467.2，技术领域涉及：H10K59/126；该发明授权显示基板及其制备方法、显示装置是由贡云芳;黄寅虎;张大成设计研发完成，并于2023-07-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本显示基板及其制备方法、显示装置在说明书摘要公布了：本公开提供了一种显示基板及其制备方法、显示装置，该显示基板包括：衬底基板以及位于衬底基板上的像素界定层和多个发光器件。像素界定层包括多个像素开口。发光器件包括层叠设置的第一电极、有机发光功能层以及第二电极。有机发光功能层覆盖像素开口并延伸至相邻发光器件的间隔区域。像素开口的下端口处露出第一电极的至少部分区域，像素开口的上端口外围设置有环绕像素开口的凸起结构。凸起结构位于像素开口与上述间隔区域之间，凸起结构的材料为绝缘材料，凸起结构被配置为阻断从像素开口露出的第一电极到上述间隔区域的漏电路径。
本发明授权显示基板及其制备方法、显示装置在权利要求书中公布了：1.一种显示基板，其特征在于，包括： 衬底基板； 像素界定层，位于所述衬底基板上，所述像素界定层包括多个像素开口； 多个发光器件，每个所述发光器件位于一个所述像素开口处，所述发光器件包括层叠设置的第一电极、有机发光功能层以及第二电极，所述第一电极在相邻所述发光器件的间隔区域内隔断开，所述有机发光功能层覆盖所述像素开口，并延伸至所述间隔区域； 其中，所述像素开口的下端口处露出所述第一电极的至少部分区域，所述像素开口的上端口外围设置有环绕所述像素开口的凸起结构，所述凸起结构位于所述像素开口与所述间隔区域之间，所述凸起结构的材料为绝缘材料，所述凸起结构被配置为阻断从所述像素开口露出的第一电极到所述间隔区域的漏电路径； 所述凸起结构是通过干法刻蚀工艺刻蚀所述像素开口时所形成的聚合物堆积而成，所述凸起结构的材料成分至少包括：所述干法刻蚀工艺的反应气体的成分以及所述干法刻蚀工艺采用的光阻材料的成分。
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