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龙图腾网获悉西安天光半导体有限公司;天水天光半导体有限责任公司申请的专利一种带隙基准源电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117251019B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311465490.8，技术领域涉及：G05F1/567；该发明授权一种带隙基准源电路是由高彦平;刘志坤;文叶叶;卢宇;李文军设计研发完成，并于2023-11-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种带隙基准源电路在说明书摘要公布了：本发明公开了一种带隙基准源电路。该带隙基准源电路在不使用集成运放的前提下，利用交叉耦合四管单元产生与电源电压无关的电流，将所述电流通过电流镜引入基准电压产生单元，使其产生与电源电压无关、且低温漂的基准电压；同时分别利用三极管Q10、Q5引入反馈机制和补偿机制，并且通过偏置电路消除多余的简并偏置点，以确保证输出的基准电压处于恒定状态，本发明提供的带隙基准源电路输入电压范围宽、对电源的适配性好，且输出电压恒定、几乎不受温度、输入电源电压波动的影响，没有集成运放温度失效的问题，结构简单、可靠性高且成本低。

本发明授权一种带隙基准源电路在权利要求书中公布了：1.一种带隙基准源电路，其特征在于，该带隙基准源电路包括：交叉耦合四管单元，电流镜，电流补偿单元，负反馈单元以及基准电压产生单元； 所述交叉耦合四管单元由NPN三极管Q6、Q7、Q8、Q9以及电阻R3组成，用于产生与电源电压无关的电流I；其中，三极管Q6、Q7为非交叉连接的两个三极管，三极管Q6的基极与三极管Q7的基极相连，三极管Q7的集电极作为所述交叉耦合四管单元的电流输出端； 所述电流镜由PMOS管PM1、PM2组成；其中，PMOS管PM1、PM2的源极接电源VDD，PMOS管PM1的漏极接所述基准电压产生单元的输入端，PMOS管PM2的漏极接所述交叉耦合四管单元的电流输出端； 所述基准电压产生单元，基于所述电流I、所述补偿单元生成的补偿电流以及所述负反馈单元引入的负反馈电压产生与电源的电压、温度均无关的恒定的基准电压;所述基准电压产生单元由PNP三极管Q1、Q2，NPN三极管Q3、Q4以及电阻R1、R2组成;三极管Q1、Q2为相同的三极管,三极管Q1、Q2构成电流镜，三极管Q1的基极与自身的集电极相连，三极管Q1的发射极与三极管Q2的发射极相连作为所述基准电压产生单元的输入端接PMOS管PM1的漏极；三极管Q3的集电极与三极管Q1的集电极相连，三极管Q3的发射极通过电阻R1、R2串联组成的分压网络接地，三极管Q4的发射极通过电阻R2接地，三极管Q4的集电极与三极管Q2的集电极相连，三极管Q3的基极与三极管Q4的基极相连作为基准电压输出端； 所述负反馈单元包括NPN三极管Q10，三极管Q10的基极接PMOS管PM1的漏极，三极管Q10的发射极接三极管Q3的基极，三极管Q10的集电极接电源VDD； 所述电流补偿单元由PNP三极管Q5构成，三极管Q5的基极与三极管Q2的集电极连接，三极管Q5的发射极与三极管Q1的发射极相连，三极管Q5的集电极与所三极管Q6的基极、集电极相连。

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