大连大学王兴安获国家专利权
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龙图腾网获悉大连大学申请的专利一种陶瓷覆铜基板的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117263709B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311298639.8，技术领域涉及：C04B37/02；该发明授权一种陶瓷覆铜基板的制备方法是由王兴安;罗凌;韩霜;孙旭东;吕卉;任培;柏小龙;孙晶;李彦钊;惠宇;刘旭东;那兆霖设计研发完成，并于2023-10-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种陶瓷覆铜基板的制备方法在说明书摘要公布了：本发明于半导体材料领域，公开了一种陶瓷覆铜基板的制备方法。对氮化硅陶瓷和无氧铜片首先进行包套处理，起到隔绝氧气的作用，将包套样品放入放电等离子烧结炉抽真空至1.0x10‑3并加热到700‑750℃，得到密封且内部为高度真空状态的包套样品；最后放入热等静压炉中施加150‑200Mpa的均匀压力及700‑750℃，保证了氮化硅陶瓷基板内部组织均匀且结合紧密。陶瓷与铜片之间互相扩散形成约2μm厚的过渡层，氮化硅陶瓷与铜结合紧密、空洞率较低。
本发明授权一种陶瓷覆铜基板的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种陶瓷覆铜基板的制备方法，其特征是，包括以下步骤： 1将经过超声清洗后的陶瓷、无氧铜片，按照钛片、无氧铜片、陶瓷、无氧铜片、钛片的顺序依次放入包套模具中； 2使用无尘纸蘸取无水乙醇擦拭放电等离子烧结炉的整个炉膛，将步骤1中的包套模具，放入放电等离子烧结炉中抽真空并升温到700-750℃保温0.5h后以10-30℃min的速率降至室温； 3待步骤2的包套达到高度真空状态后取出，得到内部高真空状态的待焊件，将高真空状态的待焊件放入热等静压烧结炉中升温至700-750℃，并施加180MPa的压力，保温0.5h； 4待步骤3中热等静压处理后，取出包套样品，沿包套样品的边缘剪开，即可得到一种陶瓷覆铜基板； 步骤1中的包套材料为钛片； 步骤2中的升温速率为20℃min； 步骤3中的升温速率为20-30℃min； 陶瓷为氮化硅陶瓷； 步骤2中真空度需达1.0x10-3~1.0x10-2Pa。
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