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龙图腾网获悉辽宁伊菲科技股份有限公司申请的专利一种预应力增强的Si3N4陶瓷基板及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118125833B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410260757.8，技术领域涉及：C04B35/596；该发明授权一种预应力增强的Si3N4陶瓷基板及其制备方法是由田鑫;徐涛;张莹;王婷婷;赵广强设计研发完成，并于2024-03-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种预应力增强的Si3N4陶瓷基板及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种预应力增强的Si3N4陶瓷基板的制备方法，具体步骤如下：将Si3N4原料分成两研磨两种不同粒径；将金属氧化烧结助剂与一种Si3N4混合，制成Si3N4陶瓷基片；Si3N4陶瓷基片上冲压细孔阵列；带孔Si3N4陶瓷基片上表面铺设金属网；将金属氧化烧结助剂与另一种Si3N4混合，在一个模具盒内底部铺设在Si3N4陶瓷基片，依次完成多块铺设金属网的Si3N4陶瓷基片的叠加，烧结制成增强的Si3N4陶瓷基板，采用上述备方法制成预应力增强的Si3N4陶瓷基板。本发明使得Si3N4陶瓷基片整体强度进一步变大，由于成叠形成基板，极大降低裂纹以及裂痕的出现。设置的金属网增加了预应力，再加混合料B形成包覆，增强设计，使得Si3N4陶瓷基片强度提高一倍以上，检测弯曲强度可高达700‑800MPa，可实现量产化。

本发明授权一种预应力增强的Si3N4陶瓷基板及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种预应力增强的Si3N4陶瓷基板的制备方法，其特征在于：具体步骤如下： S1：将Si3N4原料分成两份，分别放入研磨罐，研磨成两种不同级别的粒径的细化晶粒，两种Si3N4原料粒径分别为30-40nm和90-100nm； S2：将金属氧化烧结助剂与90-100nm改性Si3N4混合，放入球磨罐中，球磨3-5h，干燥，用40目筛过筛得混合料A，装入模具中，在70-80Mpa的真空度下机压，压制成型，得到Si3N4块；在N2气氛中加热至1500-1600℃，保温2-3h，得到Si3N4陶瓷基片； S3：将步骤S2制备的Si3N4陶瓷基片上用冲压机冲出成矩阵分布的细孔阵列； S4：在步骤S3中制备的带孔Si3N4陶瓷基片上表面铺设金属网； S5：将金属氧化烧结助剂与30-40nm改性Si3N4混合，放入球磨罐中，球磨3-5h，干燥，用60目筛过筛得混合料B，备用； S6：在一个模具盒内底部铺设一块步骤S4制备的铺设金属网的Si3N4陶瓷基片，在该铺设金属网的Si3N4陶瓷基片上涂刷混合料B，再盖上一块铺设金属网的Si3N4陶瓷基片并按压牢固，继续在新铺设的基片上涂刷混合料B，依次完成多块铺设金属网的Si3N4陶瓷基片的叠加； S7：将步骤S6的模具内叠加的陶瓷基片在70-80Mpa的真空度下机压，压制成型，得到Si3N4层叠板；在N2气氛中加热至1800-1950℃，保温2-3h，得到增强的Si3N4陶瓷基板； 步骤S7中在N2气氛中加热至1800-1950℃按照逐级加热法加热，升温速度为：0-1600℃升温速率为10-15℃分钟，1600℃时保温1-2h，1600℃以上升温速率为3-5℃分钟。

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