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龙图腾网获悉昆明理工大学申请的专利一种单层Cu2/3Na1/3Se材料及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118291925B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410487735.5，技术领域涉及：C23C14/24；该发明授权一种单层Cu2/3Na1/3Se材料及其制备方法是由卢建臣;牛格非;孙丽设计研发完成，并于2024-04-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种单层Cu2/3Na1/3Se材料及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种单层Cu23Na13Se材料及其制备方法，属于纳米材料技术领域。制备铜单晶基底；硒粉末蒸发并沉积在铜单晶基底得到基底和沉积在基底上的铜硒化合物，沉积过程控制基底上的铜硒化合物和铜单晶基底温度为25～30℃；将基底和沉积在基底上的铜硒化合物进行升温到生长温度保温处理；然后将钠单质蒸发沉积在基底和铜硒沉积物上得到钠掺杂硒化铜沉积物和基底，沉积过程控制基底和沉积物温度为25～30℃；将得到的钠掺杂硒化铜沉积物和基底在室温下进行保温处理得到大面积单层Cu23Na13Se材料。本发明制备得到的大面积单层Cu23Na13Se材料为二维网络结构，面积大于250平方纳米，且原子取向均一排列。

本发明授权一种单层Cu2/3Na1/3Se材料及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种单层Cu23Na13Se材料，其特征在于： 所述单层Cu23Na13Se材料，其组成的结构面积大于250平方纳米，且所有钠掺杂铜硒化合物以六角蜂窝形状组成网络结构，且钠元素、铜元素和硒元素比例为1：2：3； 所述单层Cu23Na13Se材料的制备方法包括： 步骤1、制备铜单晶基底； 步骤2、硒粉末蒸发并沉积在步骤1的铜单晶基底得到基底和沉积在基底上的铜硒化合物，沉积过程控制基底上的铜硒化合物和铜单晶基底温度为25～30℃； 步骤3、将步骤2的基底和沉积在基底上的铜硒化合物进行第一次升温至生长温度保温处理； 步骤4、然后将钠单质蒸发沉积在经步骤3处理的基底和铜硒沉积物上得到钠掺杂硒化铜沉积物和基底，沉积过程控制基底和沉积物温度为25～30℃； 步骤5、将步骤4得到的钠掺杂硒化铜沉积物和基底在室温进行保温处理得到大面积单层Cu23Na13Se材料； 所述硒粉末的沉积时间为15分钟～20分钟，钠单质的沉积时间为5分钟～10分钟。

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