沈阳理工大学胡亮获国家专利权
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龙图腾网获悉沈阳理工大学申请的专利一种采用电子束技术制备电子设备用石墨烯散热膜的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118324128B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410339404.7，技术领域涉及：C01B32/184；该发明授权一种采用电子束技术制备电子设备用石墨烯散热膜的制备方法是由胡亮;张凤玲;唐一巧;蒋晓漫;杨媛媛;唐沁茹设计研发完成，并于2024-03-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种采用电子束技术制备电子设备用石墨烯散热膜的制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于石墨烯材料技术领域，公开了一种采用电子束技术制备电子设备用石墨烯散热膜的制备方法。利用电子束辐照有机塑料膜发生碳化反应和石墨化反应，制备成半成品石墨烯散热膜，再经过离子渗钛处理最终获得制备成品石墨烯散热膜。该石墨烯散热膜具有优异的导热性能，适合应用于可携带式电子设备的散热部件。本发明制备方法得到的石墨烯散热膜具有优异的导热性能，适合应用于可携带式电子设备的散热部件。
本发明授权一种采用电子束技术制备电子设备用石墨烯散热膜的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种采用电子束技术制备电子设备用石墨烯散热膜的制备方法，其特征在于，包括步骤如下： 步骤1、含苯环有机塑料膜表面处理：利用丙酮或无水乙醇擦拭含苯环有机塑料膜的表面； 步骤2、电子束扫描处理：将经过表面处理的含苯环有机塑料膜放入到电子束焊机的真空室中，调整电子束设备的工艺参数，施加高能电子束处理，使含苯环有机塑料膜发生碳化和石墨化，制备半成品石墨烯散热膜； 步骤3、离子渗钛处理：利用阴极电弧离子镀设备对步骤2制备的半成品石墨烯散热膜进行渗钛处理，生成渗钛层，渗钛工艺为：真空度5.5×10-2Pa，加热温度为150~300℃，氩气压强为0.2~0.5Pa，电弧电流50~90A，偏压幅值750~900V，靶距100~200mm，渗钛时间为1~2h，最终获得石墨烯散热膜； 所述离子渗钛处理获得的渗钛层厚度为1~10μm； 所述电子束设备的工艺参数为电子束功率4~15kW，加速电压为8~20kV，电流100~1000mA，工作室真空度为6.5×10-3Pa，扫描频率为5-10kHz，扫描波形为方波或正弦波。
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