长江存储科技有限责任公司吴林春获国家专利权
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龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利一种半导体器件及其制造方法、存储器系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119383972B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310931562.7，技术领域涉及：H10B43/20；该发明授权一种半导体器件及其制造方法、存储器系统是由吴林春;张中;张坤;周文犀;夏志良;王迪设计研发完成，并于2023-07-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体器件及其制造方法、存储器系统在说明书摘要公布了：本公开实施例提供一种半导体器件及其制造方法、存储器系统。该制造方法包括：提供半导体结构，包括半导体层、位于半导体层上的初始叠层结构、初始栅线隔离结构以及初始接触结构；其中，初始叠层结构包括交替堆叠的栅极牺牲层和层间绝缘层；初始栅线隔离结构包括栅线隔槽和位于栅线隔槽内的第一牺牲层；初始接触结构包括接触孔、位于接触孔内的隔离柱和位于接触孔内的第二牺牲层，初始接触结构沿堆叠方向延伸并连接至目标栅极牺牲层；去除栅线隔槽内的第一牺牲层和接触孔内的第二牺牲层；通过栅线隔槽去除部分栅极牺牲层，以形成第一间隙；第一间隙和对应的接触孔相连通；在第一间隙和接触孔内形成导电结构。
本发明授权一种半导体器件及其制造方法、存储器系统在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括： 提供半导体结构，包括半导体层、位于所述半导体层上的初始叠层结构、初始栅线隔离结构以及初始接触结构；其中，所述初始叠层结构包括交替堆叠的栅极牺牲层和层间绝缘层；所述初始栅线隔离结构包括栅线隔槽和位于所述栅线隔槽内的第一牺牲层；所述初始接触结构包括接触孔、位于所述接触孔内的隔离柱和位于所述接触孔内的第二牺牲层，所述初始接触结构沿堆叠方向延伸并连接至目标栅极牺牲层； 沿所述堆叠方向刻蚀所述初始接触结构，形成至少一个凹槽； 在所述凹槽内填满绝缘材料，以形成支撑结构；在形成所述支撑结构之后，去除所述栅线隔槽内的第一牺牲层和所述接触孔内的第二牺牲层； 通过所述栅线隔槽去除部分所述栅极牺牲层，以形成第一间隙；所述第一间隙和对应的所述接触孔相连通； 在所述第一间隙和所述接触孔内形成导电结构。
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