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龙图腾网获悉黑龙江汇芯半导体有限公司申请的专利一种带过流保护的快速响应LDO获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119781570B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411968720.7，技术领域涉及：G05F1/56；该发明授权一种带过流保护的快速响应LDO是由冯宇翔;钟尊恒设计研发完成，并于2024-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种带过流保护的快速响应LDO在说明书摘要公布了：本发明涉及低压差线性稳压器技术领域，特别是一种带过流保护的快速响应LDO，偏置电路和稳压管D1均与大带宽源极跟随器的输入端电连接，然后大带宽源极跟随器、基准电路、过流保护电路、运放电路和滤波电路依次电连接；过流保护电路包括比较器偏置单元、比较器单元、触发单元、驱动单元、MOS管M9、MOS管M10和MOS管N6；比较器偏置单元用于生成比较器偏置电压，导通MOS管M9和MOS管M10；比较器单元用于接收比较器偏置电压以及基准电路生成的基准信号，当基准信号的电压大于比较器偏置电压时，驱动触发单元，导通MOS管N6，关断驱动单元；解决了快速响应LDO内部过流无法进行保护动作的问题。

本发明授权一种带过流保护的快速响应LDO在权利要求书中公布了：1.一种带过流保护的快速响应LDO，其特征在于：包括偏置电路、大带宽源极跟随器、基准电路、稳压管D1、运放电路、滤波电路和过流保护电路；所述滤波电路的输出端用作所述快速响应LDO的输出端； 所述偏置电路的输出端、所述稳压管D1的阴极均和所述大带宽源极跟随器的输入端电连接，所述大带宽源极跟随器的输出端和所述基准电路的输入端电连接，所述基准电路的输出端和所述过流保护电路的输入端电连接，所述过流保护电路的输出端和所述运放电路的输入端电连接，所述运放电路的输出端和所述滤波电路的输入端电连接,所述稳压管D1的阳极接地； 所述过流保护电路包括比较器偏置单元、比较器单元、触发单元、驱动单元、MOS管M9、MOS管M10和MOS管N6；所述比较器单元的输入端用作所述过流保护电路的输入端，所述驱动单元的输出端用作所述流保护电路的输出端； 所述MOS管M9的栅极、所述比较器偏置单元的输出端和所述比较器单元的偏置端电连接，所述比较器单元的输出端和所述触发单元的输入端电连接，所述比较器偏置单元的VDD端、所述比较器单元的VDD端和所述MOS管M9的源极均接VDD电源，所述MOS管M9的栅极和所述MOS管M10的栅极电连接，所述MOS管M9的漏极、所述MOS管M10的源极均和所述驱动单元的VDD端电连接，所述触发单元的输出端和所述MOS管N6的栅极电连接，所述MOS管N6的源极和所述驱动单元的地端均接地，所述MOS管N6的漏极、所述MOS管M10的漏极均和所述驱动单元的输入端电连接； 所述比较器偏置单元用于生成比较器偏置电压，导通所述MOS管M9和所述MOS管M10； 所述比较器单元用于接收所述比较器偏置电压以及所述基准电路生成的基准信号，当所述基准信号的电压大于比较器偏置电压时，驱动所述触发单元，导通所述MOS管N6，关断所述驱动单元； 所述比较器单元包括MOS管M5、MOS管M6、MOS管M7、MOS管M8、MOS管N4、MOS管N5、电阻R2、电阻R3和二极管D2；所述MOS管M6的栅极用作所述比较器单元的输入端，所述MOS管M5和所述MOS管M8的栅极均用作所述比较器单元的偏置端，所述MOS管M5的源极和所述MOS管M8的源极均用作所述比较器单元的VDD端，所述MOS管N5的源极用作所述比较器单元的输出端； 所述MOS管M6的源极、所述MOS管M7的源极均和所述MOS管M5的漏极电连接，所述MOS管M6的漏极、所述MOS管N4的漏极、所述MOS管N4的栅极均和所述MOS管N5的栅极电连接，所述MOS管N5的漏极和所述MOS管M7的漏极电连接，所述MOS管M7的栅极、所述电阻R2的一端均和所述电阻R3的一端电连接，所述二极管D2的阳极、所述电阻R3的另一端、所述MOS管N4的源极和所述MOS管N5的源极均接地，所述电阻R2的另一端、所述二极管D2的阴极均和所述MOS管M8的漏极电连接； 所述比较器偏置单元包括MOS管M1、MOS管M2、MOS管M3、MOS管M4、MOS管N1、MOS管N2、MOS管N3和电阻R1；所述MOS管M1、所述MOS管M2和所述MOS管M3的源极均用作所述比较器偏置单元的VDD端，所述MOS管M3的栅极用作所述比较器偏置单元的输出端； 所述MOS管M1的栅极、漏极均和所述电阻R1的一端电连接，所述电阻R1的另一端、所述MOS管M4的栅极均和所述MOS管N3的漏极电连接，所述MOS管M3的栅极、所述MOS管N1的漏极、所述MOS管M2的栅极、所述MOS管M2的漏极均和所述MOS管M4的源极电连接，所述MOS管N3的栅极、所述MOS管N1的栅极、所述MOS管N2的栅极、所述MOS管N2的漏极均和所述MOS管M3的漏极电连接，所述MOS管M4的漏极、所述MOS管N1的源极、所述MOS管N2的源极和所述MOS管N3的源极均接地。

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