清华大学吴华强获国家专利权
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龙图腾网获悉清华大学申请的专利利用聚焦离子束加工透射样品的方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119804090B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202411905689.2,技术领域涉及:G01N1/44;该发明授权利用聚焦离子束加工透射样品的方法是由吴华强;孙雯;高滨;唐建石;钱鹤;王钰言设计研发完成,并于2024-12-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本利用聚焦离子束加工透射样品的方法在说明书摘要公布了:本申请公开了一种利用聚焦离子束加工透射样品的方法,包括以下步骤:利用聚焦离子束对透射样品进行整体减薄,以形成整体减薄区域,整体减薄区域的厚度为第一预设厚度,且整体减薄区域的周边形成有支撑横梁,支撑横梁的厚度大于第一预设厚度;利用聚焦离子束对透射样品的整体减薄区域进行分区减薄,以在整体减薄区域内形成至少两个单元薄区,每个单元薄区的厚度小于第二预设厚度,每个单元薄区的横向宽度为第一预设距离,相邻的两个单元薄区的间隔为第二预设距离。
本发明授权利用聚焦离子束加工透射样品的方法在权利要求书中公布了:1.一种利用聚焦离子束加工透射样品的方法,其特征在于,包括以下步骤: 利用聚焦离子束对所述透射样品进行整体减薄,以形成整体减薄区域,所述整体减薄区域的厚度为第一预设厚度,且所述整体减薄区域的周边形成有支撑横梁,所述支撑横梁的厚度大于所述第一预设厚度,所述利用聚焦离子束对所述透射样品进行整体减薄,以形成整体减薄区域包括: 采用步进式切割模式,以第一离子束电压与电流、第一切割角度和第一切割深度对所述透射样品进行第一次加工,以形成第一整体减薄区域,所述第一整体减薄区域具有第三预设厚度; 采用步进式切割模式,以第二离子束电压与电流、第一切割角度和第二切割深度继续对所述透射样品进行第二次加工,以形成所述整体减薄区域,所述整体减薄区域具有第三预设厚度; 以第三离子束电压与电流、第一切割角度和第三切割深度对所述透射样品进行第三次加工,以使得所述整体减薄区域的厚度达到第一预设厚度,所述第三切割深度等于所述第一切割深度和第二切割深度之和,且小于所述透射样品的纵向宽度, 其中,所述第一切割角度为1.2度,所述第三预设厚度为500nm,所述第一预设厚度为300nm,所述第一切割深度、所述第二切割深度和所述第三切割深度分别为4.5um、1.5um和6um;所述第一离子束电压与电流为30KV与0.23nA,所述第二离子束电压与电流为30KV与80pA,所述第三离子束电压与电流为30KV与40pA; 利用聚焦离子束对所述透射样品的整体减薄区域进行分区减薄,以在所述整体减薄区域内形成至少两个单元薄区,每个单元薄区的厚度小于第二预设厚度,每个单元薄区的横向宽度为第一预设距离,相邻的两个单元薄区的间隔为第二预设距离, 所述利用聚焦离子束对所述透射样品的整体减薄区域进行分区减薄,以在所述整体减薄区域内形成至少两个单元薄区,包括: 以第四离子束电压与电流、第一切割角度和第四切割深度,对所述整体减薄区域中的至少两个单元薄区进行第一次加工,以得到至少两个具有第四预设厚度的单元薄区; 以第五离子束电压与电流、第一切割角度和第四切割深度,对所述整体减薄区域中的至少两个单元薄区进行第二次加工,以得到至少两个具有第五预设厚度的单元薄区; 以第六离子束电压与电流、第二切割角度和第四切割深度,对所述整体减薄区域中的至少两个单元薄区进行第三次加工,以得到至少两个具有第六预设厚度的单元薄区,所述第二切割角度为3度,以形成倒切结构,操作顺序为先对正面进行减薄,随后再处理反面; 以第七离子束电压与电流、第二切割角度和第四切割深度,对所述整体减薄区域中的至少两个单元薄区进行第四次加工,以得到至少两个具有小于第二预设厚度的单元薄区,所述第二切割角度为3度。
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