买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉英诺赛科(珠海)科技有限公司申请的专利电压基准电路、基准电压的生成方法及电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119828839B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510033070.5，技术领域涉及：G05F1/567；该发明授权电压基准电路、基准电压的生成方法及电子设备是由孙汉萍;严慧;李思超设计研发完成，并于2025-01-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本电压基准电路、基准电压的生成方法及电子设备在说明书摘要公布了：本发明提供一种电压基准电路、基准电压的生成方法及电子设备，其中电压基准电路包括：偏置子电路，负温子电路，正温子电路，第一节点，电源端，接地端和基准电压输出端；偏置子电路，分别与所述第一节点，所述电源端和所述接地端耦接，用于产生偏置电流；负温子电路，分别与所述电源端、所述接地端和所述第一节点耦接，用于产生具有负温度系数的第一电压；正温子电路，分别与所述电源端、所述第一节点和所述基准电压输出端耦接，用于产生具有正温系数的第二电压，还用于根据所述第一电压和所述第二电压得到具有零温系数的基准电压，并将所述基准电压传输至所述基准电压输出端。本发明电路结构简单，版图面积小。

本发明授权电压基准电路、基准电压的生成方法及电子设备在权利要求书中公布了：1.一种电压基准电路，其特征在于，包括：偏置子电路，负温子电路，正温子电路，第一节点，电源端，接地端和基准电压输出端； 偏置子电路，分别与所述第一节点，所述电源端和所述接地端耦接，用于产生偏置电流； 负温子电路，分别与所述电源端、所述接地端和所述第一节点耦接，用于产生具有负温度系数的第一电压； 正温子电路，分别与所述电源端、所述第一节点和所述基准电压输出端耦接，用于产生具有正温系数的第二电压，还用于根据所述第一电压和所述第二电压得到具有零温系数的基准电压，并将所述基准电压传输至所述基准电压输出端； 所述负温子电路包括：第一晶体管、第二晶体管； 所述正温子电路包括：第三晶体管、第四晶体管； 所述第一晶体管的栅极与所述电源端耦接、所述第一晶体管的第一极与所述接地端耦接；所述第一晶体管的第二极与所述第一节点耦接； 所述第二晶体管的栅极及所述第二晶体管的漏极均与所述电源端耦接；所述第二晶体管的源极与所述第一节点耦接； 所述第三晶体管的栅极与所述电源端耦接；所述第三晶体管的源极与所述第一节点耦接；所述第三晶体管的漏极与所述基准电压输出端耦接； 所述第四晶体管的栅极及所述第四晶体管的漏极均与所述电源端耦接；所述第四晶体管的源极与所述基准电压输出端耦接； 其中，所述第一晶体管的阈值电压值小于所述第二晶体管的阈值电压值，所述第三晶体管的阈值电压值等于所述第四晶体管的阈值电压值；所述第二晶体管的宽长比小于所述第一晶体管的宽长比；所述第四晶体管的宽长比大于所述第三晶体管的宽长比；所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第三晶体管及所述第四晶体管处于亚阈值状态； 所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第三晶体管，及所述第四晶体管为增强型氮化镓HEMT晶体管； 所述偏置子电路包括：第五晶体管； 所述第五晶体管的栅极与所述电源端耦接；所述第五晶体管的第一极与所述接地端耦接；所述第五晶体管的第二极与所述第一节点耦接； 所述第五晶体管为增强型氮化镓HEMT晶体管。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人英诺赛科(珠海)科技有限公司，其通讯地址为：519080 广东省珠海市高新区金园二路39号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。