新存科技(武汉)有限责任公司刘国强获国家专利权
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龙图腾网获悉新存科技(武汉)有限责任公司申请的专利半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119851716B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411904418.5，技术领域涉及：G11C11/408；该发明授权半导体器件是由刘国强;张恒;雷威锋设计研发完成，并于2024-12-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件在说明书摘要公布了：本申请提供一种半导体器件及其形成方法，该半导体器件包括多个阵列区块，每个阵列区块包括多条第一地址线和多条第二地址线，第一地址线沿第一方向延伸，第二地址线沿第二方向延伸，且第一地址线和第二地址线异面交叉，第一地址线在第一方向上具有第一尺寸，第二地址线在第二方向上具有第二尺寸，第一尺寸大于第二尺寸的二分之一。本申请实施例中阵列区块的设计拉长了第一地址线延伸方向的长度，增大了阵列区块的面积。由于没有增加第一地址线的数量，因而不需要增加控制第一地址线电路的数量，相当于整个阵列区块采用更少的第一地址线控制电路来控制更大的阵列区块，因此可以空出更多其他电路的设计面积，进一步优化存储器整体性能。
本发明授权半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括： 多个阵列区块，每个所述阵列区块包括多条第一地址线和多条第二地址线，所述第一地址线沿第一方向延伸，所述第二地址线沿第二方向延伸，且所述第一地址线和所述第二地址线异面交叉，所述第一地址线在所述第一方向上具有第一尺寸，所述第二地址线在第二方向上具有第二尺寸，所述第一尺寸大于所述第二尺寸的二分之一，所述第一地址线和所述第二地址线交叉的区域形成阵列核心区，所述阵列核心区的面积与所述阵列区块的面积的比值为65.4%~71.1%。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人新存科技(武汉)有限责任公司，其通讯地址为：430074 湖北省武汉市武汉东湖新技术开发区高新大道999号武汉未来科技城龙山创新园一期B4栋18楼534(自贸区武汉片区)；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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