中国科学院微电子研究所丁虎文获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所申请的专利一种全局散射矩阵计算方法及装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119916648B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311432856.1，技术领域涉及：G03F7/20；该发明授权一种全局散射矩阵计算方法及装置是由丁虎文;韦亚一;范泰安;张利斌;何建芳设计研发完成，并于2023-10-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种全局散射矩阵计算方法及装置在说明书摘要公布了：本申请提供一种全局散射矩阵计算方法及装置，包括：获取等离子体光刻成像包括多个目标膜层的目标成像结构。确定多个目标膜层和初始成像结构的多个初始膜层之间相同的第二目标膜层。初始膜层的初始散射矩阵存储在数据库中，可以根据初始散射矩阵直接确定第二目标膜层的第二散射矩阵。单独计算目标成像结构中和初始膜层不同的第一目标膜层的第一散射矩阵，根据第一散射矩阵和第二散射矩阵计算得到全局散射矩阵。通过直接利用初始散射矩阵就能够直接得到第二目标膜层的第二散射矩阵，无需单独计算第二目标膜层的散射矩阵，提高了全局散射矩阵的计算效率，仅需要利用较少的计算资源计算第一目标膜层进而得到全局散射矩阵，降低计算时间。
本发明授权一种全局散射矩阵计算方法及装置在权利要求书中公布了：1.一种全局散射矩阵计算方法，其特征在于，包括： 获取等离子体光刻成像的目标成像结构，所述目标成像结构包括多个目标膜层； 确定所述目标成像结构的多个目标膜层和初始成像结构的多个初始膜层之间相同的第二目标膜层，所述初始成像结构包括多个初始膜层，所述初始膜层的初始散射矩阵存储在数据库中； 计算所述目标成像结构中和所述初始膜层不同的第一目标膜层的第一散射矩阵； 根据所述初始膜层的初始散射矩阵直接确定所述目标成像结构中和所述初始膜层相同的第二目标膜层的第二散射矩阵； 根据所述第一散射矩阵和所述第二散射矩阵计算得到全局散射矩阵； 所述方法还包括： 预先定义厚度为0的间隔层包裹所述目标膜层； 预先定义计算所述全局散射矩阵的运算符号； 所述全局散射矩阵为利用所述运算符号依次连接每个所述目标膜层的散射矩阵计算得到。
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