北京北方华创微电子装备有限公司王永钊获国家专利权
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龙图腾网获悉北京北方华创微电子装备有限公司申请的专利半导体工艺腔室及其进气组件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119920671B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311422716.6，技术领域涉及：H01J37/32；该发明授权半导体工艺腔室及其进气组件是由王永钊;王伟;鲁艳成设计研发完成，并于2023-10-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体工艺腔室及其进气组件在说明书摘要公布了：本申请公开一种半导体工艺腔室及其进气组件，属于半导体技术领域。进气组件包括进气管路、喷气部件和喷气连接件，喷气连接件与喷气部件沿竖直方向依次设置，喷气连接件的内部设有进气通道，喷气部件的内部设有喷气通道，喷气通道用于与所述半导体工艺腔室的腔室本体内部连通；进气管路与喷气连接件相连，且进气管路、进气通道与喷气通道依次连通，进气通道在第一平面内延伸，第一平面与竖直方向相交。半导体工艺腔室包括腔室本体、上电极组件以及上述的进气组件，腔室本体的顶壁设有安装孔，喷气部件设置于安装孔处。如此，进气管路的高度减小，上电极组件与进气管路分离开，避免影响上电极组件的维保过程。
本发明授权半导体工艺腔室及其进气组件在权利要求书中公布了：1.一种半导体工艺腔室的进气组件，其特征在于，包括进气管路400、喷气部件200和喷气连接件300，所述喷气连接件300与所述喷气部件200沿竖直方向依次设置，所述喷气连接件300的内部设有进气通道310，所述喷气部件200的内部设有喷气通道210，所述喷气通道210用于与所述半导体工艺腔室的腔室本体100内部连通；所述进气管路400与所述喷气连接件300相连，且所述进气管路400、所述进气通道310与所述喷气通道210依次连通，所述进气通道310在第一平面内延伸，所述第一平面与竖直方向相交，以使所述进气管路400位于所述半导体工艺腔室的上电极组件900的下方。
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