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龙图腾网获悉广州晶鸿新材料有限公司申请的专利一种铌酸锂晶片双面抛光的清洗方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120515746B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510638680.8，技术领域涉及：B08B3/08；该发明授权一种铌酸锂晶片双面抛光的清洗方法是由朱治农设计研发完成，并于2025-05-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种铌酸锂晶片双面抛光的清洗方法在说明书摘要公布了：本发明属于铌酸锂制造技术领域，具体涉及一种铌酸锂晶片双面抛光的清洗方法。本发明通过多步骤、针对性的清洗工艺，从氢氟酸水溶液浸泡去除二氧化硅抛光液残留，到有机溶剂超声清洗除去部分有机物、金属离子和顽固污染物，再到毛刷与化学试剂联合清洗，能够全面且深度地清洁铌酸锂双面抛光片表面，并且单面精细刷洗能进一步除去抛光片化学试剂的残留，使表面污染物残留量降低至极低水平，满足高端光电子器件对晶片表面洁净度的严格要求。本发明制得的碱性清洗剂具有优异的清洗性能和低残留性能。本发明清洗方法的工艺流程清晰，操作相对简便，提高了生产效率，适合大规模工业化生产。

本发明授权一种铌酸锂晶片双面抛光的清洗方法在权利要求书中公布了：1.一种铌酸锂晶片双面抛光的清洗方法，其特征在于，包括如下步骤： S1、预清洗：将铌酸锂双面抛光片放入氢氟酸水溶液中浸泡去除氧化层和抛光液残留物，用去离子水漂洗； S2、有机溶剂超声清洗：将铌酸锂双面抛光片置于有机溶剂清洗液中，超声清洗去除抛光片表面的有机物和部分金属离子污染物； S3、去离子水喷淋冲洗：将铌酸锂双面抛光片用去离子水喷淋，注入去离子水淹没铌酸锂双面抛光片后溢流，快速排干去离子水后重复操作5~7次； S4、毛刷与化学试剂联合清洗：将铌酸锂双面抛光片在碱性清洗溶液采用双面传动滚刷方式刷洗，刷洗完成后，在去离子水中同样采用双面传动滚刷方式刷洗并喷淋冲洗去除残留的碱性清洗剂，旋转甩干； S5、单面精细刷洗：将铌酸锂双面抛光片用陀螺式毛刷刷洗，在抛光片中心和边缘往返刷洗，同时进行二流体喷淋，刷洗结束后用去离子水冲洗，旋转甩干，即清洗干净的抛光片； 所述S4中碱性清洗溶液的制备方法，包括如下步骤： S11、按质量份，将1~2份的聚乙烯吡咯烷酮、1~2份的阴离子表面活性剂、1~2份的非离子表面活性剂、1~2份的有机碱、2~5份的无机碱、0.5~1.5份的络合剂、0.5~2份的复合缓蚀剂和0.5~1份的消泡剂混合制得碱性清洗剂； S12、将碱性清洗剂和去离子水按体积比1：40~50混合制得碱性清洗溶液； 所述复合缓蚀剂的制备方法，包括如下步骤： S21、按质量份，将19~20份的4-氯-6,8-二甲基-喹唑啉和20~50份的N，N’-二甲基甲酰胺溶剂加入反应釜中，搅拌均匀后再加入12~13份的1-羟基甲基苯并咪唑和0.05~0.3份的碳酸钾催化剂，升温反应，反应结束后抽滤洗涤，制得缓蚀助剂； S22、按质量份，将5~10份的缓蚀助剂和5~8份的苯并三氮唑混合制得复合缓蚀剂。

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