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龙图腾网获悉上海鲲游科技有限公司申请的专利一次刻蚀形成二元光栅结构的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120722476B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410381789.3，技术领域涉及：G02B5/18；该发明授权一次刻蚀形成二元光栅结构的方法是由陈定强;陈和峰;郭旭红;普慧;李坤鹏;陈志高;陈昕;汪威;楼歆晔设计研发完成，并于2024-03-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一次刻蚀形成二元光栅结构的方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种一次刻蚀形成二元光栅结构的方法，包括：提供基底，基底包括：依序设置的第一光栅区域与第二光栅区域；在基底表面形成光栅膜层，且第一光栅区域上的光栅膜层的厚度大于第二光栅区域上的光栅膜层的厚度；在光栅膜层的表面形成掩膜层并图形化掩膜层，位于第一光栅区域上的掩膜层形貌与第二光栅区域上的掩膜层形貌不同；以图形化的掩膜层为掩膜，一次刻蚀光栅膜层，在第一光栅区域上形成第一光栅结构，在第二光栅区域上形成第二光栅结构，形成二元光栅结构，且第一光栅结构的形貌与第二光栅结构的形貌不同。实现了二元光栅的一次刻蚀，通过一次刻蚀形成多种光栅结构，提高了生产效率和光波导产品的性能。

本发明授权一次刻蚀形成二元光栅结构的方法在权利要求书中公布了：1.一种一次刻蚀形成二元光栅结构的方法，其特征在于，包括： 提供基底，所述基底包括：依序设置的第一光栅区域与第二光栅区域； 在所述基底表面形成光栅膜层，且所述第一光栅区域上的光栅膜层的厚度大于所述第二光栅区域上的光栅膜层的厚度； 在所述光栅膜层的表面形成掩膜层并图形化所述掩膜层，位于所述第一光栅区域上的掩膜层形貌与所述第二光栅区域上的掩膜层形貌不同； 以图形化的所述掩膜层为掩膜，一次刻蚀所述光栅膜层，在所述第一光栅区域上形成第一光栅结构，在所述第二光栅区域上形成第二光栅结构，形成所述二元光栅结构，且所述第一光栅结构的形貌与第二光栅结构的形貌不同； 其中，形成于所述第一光栅区域上的光栅膜层的厚度与形成于所述第二光栅区域上的光栅膜层的表面的厚度之差为第一差值，所述第一差值 △H=h1-h2*S； 其中，h1是第一光栅结构的高度；h2是第二光栅结构的高度；S是图案化的掩膜层与光栅膜层的刻蚀选择比；△H是第一差值； S=V掩膜层V光栅膜层； 其中，V掩膜层是对图案化的掩膜层的刻蚀速率；V光栅膜层是对光栅膜层的刻蚀速率。

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