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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利一种图像传感器及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121398175B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511947133.4，技术领域涉及：H10F39/12；该发明授权一种图像传感器及其制作方法是由康绍磊;胡晓芮设计研发完成，并于2025-12-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种图像传感器及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种图像传感器及其制作方法，属于半导体技术领域。图像传感器至少包括：衬底，其内间隔设置第一隔离结构和第二隔离结构；光电二极管，与第一隔离结构间隔设置在衬底内；传输栅极，设置在光电二极管远离第一隔离结构的衬底上；浮动扩散区设置在传输栅极和第二隔离结构之间的衬底内，且第二隔离结构靠近浮动扩散区的一侧的高度低于衬底表面，设置凹槽；源极跟随栅极，与传输栅极间隔设置且覆盖部分第二隔离结构；侧墙结构，设置在传输栅极和源极跟随栅极的四周，传输栅极的侧边到浮动扩散区边缘之间的间距，大于传输栅极的侧边到侧墙结构边缘的距离。通过本发明提供的图像传感器及其制作方法，能够减少成像时的白点现象，减少暗电流。

本发明授权一种图像传感器及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种图像传感器，其特征在于，至少包括： 衬底，所述衬底内间隔设置第一隔离结构和第二隔离结构； 光电二极管，设置在所述衬底内，且与所述第一隔离结构间隔设置； 传输栅极，设置在所述光电二极管远离所述第一隔离结构一端的所述衬底上； 浮动扩散区，设置在所述传输栅极和所述第二隔离结构之间的所述衬底内，且所述第二隔离结构靠近所述浮动扩散区的一侧的高度低于所述衬底表面，设置凹槽； 源极跟随栅极，设置在所述第二隔离结构远离所述传输栅极的一侧，且部分所述源极跟随栅极设置在所述第二隔离结构上； 侧墙结构，设置在所述传输栅极和所述源极跟随栅极的四周，所述传输栅极的侧边到所述浮动扩散区边缘之间的间距，大于所述传输栅极的侧边到邻近的所述侧墙结构边缘的距离； 其中，所述图像传感器具有共享结构像素布局，一个所述共享结构像素布局包括四个感光像素单元、两个浮动扩散区、两个选择管、两个复位管和一个源极跟随管； 所述感光像素单元包括一个光电二极管与一个传输管，两个所述感光像素单元共用一个所述浮动扩散区，所述源极跟随管设置在中心位置，所述复位管设置在相邻两个所述感光像素单元共用的所述浮动扩散区远离所述源极跟随管的一侧，所述选择管与所述源极跟随管间隔设置在所述源极跟随管。

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