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龙图腾网获悉山东工业陶瓷研究设计院有限公司申请的专利一种异型薄壁多孔材料气密涂层的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121405503B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511959713.5，技术领域涉及：C04B41/84；该发明授权一种异型薄壁多孔材料气密涂层的制备方法是由冯同旭;曹俊倡;王云鹏;姜立平;朱保鑫;王响;綦开宇;李洪达设计研发完成，并于2025-12-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种异型薄壁多孔材料气密涂层的制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种异型薄壁多孔材料气密涂层的制备方法，属于陶瓷的技术领域，所述方法，包括以下步骤：多孔材料预处理，沉积二氧化硅基薄层，有机硅‑TEOS杂化体系密封。本发明通过构建双重共价键合结构，解决传统涂层界面结合弱、气密耐久性差的问题，制备的涂层在温变、振动后仍保持优异气密性能。本发明的方法制备的气密涂层在直接负压测试、温变循环后负压测试、振动试验后负压测试中，60min压降均小于0.01MPa，可满足复杂服役环境下的长期气密需求。

本发明授权一种异型薄壁多孔材料气密涂层的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种异型薄壁多孔材料气密涂层的制备方法，其特征在于，所述方法，包括以下步骤：多孔材料预处理，沉积二氧化硅基薄层，有机硅-TEOS杂化体系密封； 所述沉积二氧化硅基薄层的方法为，将活化后的多孔材料悬挂于二氧化硅基溶胶中，确保液面没过材料，在真空条件下，同时施加低频超声，浸渍15-20min，取出构件，倾斜沥干4-6分钟，并吹扫除去表面残留液滴，然后室温放置2-3h，随后升温至35-45℃保温2-3h，然后升温至55-65℃保温2-3h，再升温至70-80℃保温2-3h，形成致密的二氧化硅基薄层，得到二氧化硅基多孔材料； 所述有机硅-TEOS杂化体系密封的方法为，向有机硅树脂中加入正硅酸乙酯，混合后再加入去离子水，搅拌均匀，滴加盐酸溶液调节pH至2-3，再加入二月桂酸二丁基锡作为缩合催化剂，室温搅拌55-65min，形成有机硅-TEOS杂化体系； 将二氧化硅基多孔材料浸入有机硅-TEOS杂化体系中，液面没过构件，在真空条件下，同时施加低频超声，浸渍50-70min，取出构件，将表面树脂擦拭干净，室温下干燥2-3h，再升温至30-40℃干燥2-3h，最后升温至55-65℃固化3-4h，降温取出后打磨去除表面多余堆积的涂层，得到具有气密涂层的多孔材料； 所述有机硅树脂由大分子量有机硅树脂和小分子量有机硅树脂混合而成，大分子量有机硅树脂和小分子量有机硅树脂的质量比为10：0.45-0.55； 所述大分子量有机硅树脂的数均分子量为10000-15000gmol，小分子量有机硅树脂的数均分子量为1000-2000gmol； 所述有机硅树脂的固含量为45-55%。

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