合肥晶合集成电路股份有限公司王文智获国家专利权
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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利半导体器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121419305B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202512005112.7，技术领域涉及：H10D64/27；该发明授权半导体器件及其制造方法是由王文智;刘哲儒设计研发完成，并于2025-12-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本申请涉及一种半导体器件及其制造方法，包括：衬底、第一介质层、第一栅极结构和第二介质层，其中，衬底内开设有栅极沟槽；第一介质层覆盖所述栅极沟槽的底部和侧壁中靠近栅极沟槽底部的一侧；第一栅极结构位于所述栅极沟槽的底部，且所述第一栅极结构与所述第一介质层中位于栅极沟槽底部的部分接触设置；第二介质层覆盖所述第一栅极结构的顶部表面和部分侧壁，且裸露出所述第一栅极结构靠近所述栅极沟槽的底部一侧的部分侧壁；所述第一介质层和所述第二介质层之间设有空隙，且所述空隙设于所述第一栅极结构两侧。本申请提升了第一栅极结构与衬底之间的隔离性，降低了衬底的漏电流，实现了对半导体器件的阈值电压的高度控制。
本发明授权半导体器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括： 提供衬底，所述衬底内形成有栅极沟槽，于所述栅极沟槽的侧壁和底部形成第一介质层； 于所述第一介质层上形成第一栅极结构，且所述第一栅极结构形成于所述栅极沟槽的底部； 于所述第一栅极结构的顶部表面和部分侧壁上形成第二介质层，且所述第二介质层使所述第一栅极结构靠近所述栅极沟槽的底部一侧的部分侧壁暴露，所述第一介质层和所述第二介质层之间形成有空隙，所述空隙位于所述第一栅极结构两侧； 去除部分所述第一介质层，使剩余的所述第一介质层与所述第二介质层的表面齐平； 其中，去除部分所述第一介质层的过程包括： 于所述栅极沟槽内形成牺牲层，所述牺牲层填满所述空隙、覆盖所述第二介质层并暴露所述第一介质层中靠近所述衬底表面一侧的部分； 去除所述第一介质层中靠近所述衬底表面一侧的部分，使剩余的所述第一介质层与所述第二介质层的顶部齐平； 去除所述牺牲层。
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