华南理工大学姚恩义获国家专利权
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龙图腾网获悉华南理工大学申请的专利一种基于伊辛模型具有可变拓扑结构与存内计算的电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121434151B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202512019225.2，技术领域涉及：G06F15/78；该发明授权一种基于伊辛模型具有可变拓扑结构与存内计算的电路是由姚恩义;程志洪;黄展鸿;麦俊毅;蒋东;麦展豪;汪东博设计研发完成，并于2025-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于伊辛模型具有可变拓扑结构与存内计算的电路在说明书摘要公布了：本发明公开一种基于伊辛模型具有可变拓扑结构与存内计算的电路，涉及伊辛模型技术，针对现有技术中适配性不足等问题提出本方案。包括总控制器、全局输入模块、全局输出模块、读控制器、最小拓扑结构阵列、两个先进先出存储器；所述最小拓扑结构阵列包含n×n个最小拓扑结构，每个最小拓扑结构里面包含一个6T存储器阵列模块、九个时间域延时模块、一个读驱动模块、一个写驱动模块、一个路由模块、一个时间域指数函数计算概率模块。优点在于，实现在CMOS电路上部署伊辛模型的通用性，使得在同一个芯片中能高效部署不同连接的伊辛模型，且复用模块的效率接近完全复用。另一方面将计算结果映射为时域脉冲宽度而非数字域位宽扩展，大幅度削减加法器的使用。
本发明授权一种基于伊辛模型具有可变拓扑结构与存内计算的电路在权利要求书中公布了：1.一种基于伊辛模型具有可变拓扑结构与存内计算的电路，其特征在于，包括总控制器、全局输入模块、全局输出模块、读控制器、最小拓扑结构阵列，以及两个先进先出存储器；其中第一先进先出存储器用于存储控制命令和初始化数据，第二先进先出存储器用于存储读出的自旋状态；所述最小拓扑结构阵列包含n×n个最小拓扑结构，每个最小拓扑结构里面包含一个6T存储器阵列模块、九个时间域延时模块、一个读驱动模块、一个写驱动模块、一个路由模块、一个时间域指数函数计算概率模块。
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