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龙图腾网获悉西安奥华电子仪器股份有限公司申请的专利一种自成靶中子管充氚控制方法及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121547931B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610055838.3，技术领域涉及：H05H3/06；该发明授权一种自成靶中子管充氚控制方法及系统是由徐侃;孙辉;刘洋;白磊磊;李轩奥;吴佳腾;陈光显设计研发完成，并于2026-01-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种自成靶中子管充氚控制方法及系统在说明书摘要公布了：本发明属于中子管控制技术领域，具体涉及一种自成靶中子管充氚控制方法及系统，其方法包括：实时采集自成靶中子管的离子源电流与加速极电压，采用加权滑动平均滤波算法获取平滑后的实时运行参数；根据预设的目标中子产额匹配储氢器加热电压基准值，并基于实时离子源电流与目标电流的偏差及其变化率，利用模糊PID算法计算加热电压的动态补偿量；将基准值与动态补偿量叠加得到PID控制电压，驱动储氢器调节氚气释放速率。本发明通过滤波处理与动态补偿控制，解决了离子源电流波动大及热惯性滞后导致的充氚不稳定问题，提高了中子产额的稳定性与中子管的使用寿命。

本发明授权一种自成靶中子管充氚控制方法及系统在权利要求书中公布了：1.一种自成靶中子管充氚控制方法，其特征在于，包括： 采集自成靶中子管的阳极高压、阳极电流和实测的中子产额，基于阳极高压、阳极电流、实测的中子产额和理论中子产额获取同位素失调度； 基于历史时刻的阳极电流、同位素失调度与基准阻抗的差值以及靶膜热扩散时间常数获取靶膜偏差量，包括：，是时刻的靶膜偏差量，是记忆周期，是历史时刻的阳极电流，是历史时刻的同位素失调度，是理想配比下的基准阻抗，是靶膜热扩散时间常数，是以自然常数为底的指数函数； 基于基准频率、最大频率调节幅度以及靶膜偏差量获取储氢器加热调制频率； 将中心值为PID控制电压且频率为储氢器加热调制频率的正弦波电压施加给储氢器，实现对储氢器释放气体组分的动态调节，包括：通过PID控制回路调节储氢器加热电压的基础幅值，以维持自成靶中子管内的总压强恒定；在基础幅值上叠加频率受控的正弦波电压，在不改变总压强的前提下，利用氘和氚的解吸速率差异调节气相组分比例；利用氘和氚对不同频率温度波动的响应速度差异，通过改变储氢器加热调制频率来调整释放气体的组分比例；当储氢器加热电压快速波动时，促使较轻的氘气优先释放；当储氢器加热电压缓慢波动时，促使较重的氚气充分解吸。

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