合肥晶合集成电路股份有限公司王小莉获国家专利权
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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利半导体结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121548089B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610063606.2，技术领域涉及：H10D64/01；该发明授权半导体结构及其制备方法是由王小莉;郭哲劭;郭廷晃设计研发完成，并于2026-01-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种半导体结构及其制备方法，涉及半导体技术领域。制备方法包括：于基底上形成伪栅极、刻蚀阻挡层和层间介质层，伪栅极的数量为多个且间隔设置，刻蚀阻挡层覆盖伪栅极的侧壁和顶表面，层间介质层覆盖刻蚀阻挡层，并填充相邻两伪栅极之间的沟槽；研磨层间介质层和刻蚀阻挡层，直至露出伪栅极的顶表面，及沟槽内的层间介质层中形成凹陷；将伪栅极替换成栅极材料，栅极材料填充凹陷；采用化学干法刻蚀工艺刻蚀栅极材料，直至露出凹陷的内壁；对栅极材料和层间介质层进行平坦处理，形成栅极，栅极远离基底的顶表面和层间介质层远离基底的顶表面齐平。降低半导体结构出现短路的风险，提高半导体结构的良率和性能。
本发明授权半导体结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括： 于基底上形成伪栅极、刻蚀阻挡层和层间介质层，所述伪栅极的数量为多个且间隔设置，所述刻蚀阻挡层覆盖所述伪栅极的侧壁和顶表面，所述层间介质层覆盖所述刻蚀阻挡层，并填充相邻两所述伪栅极之间的沟槽； 研磨所述层间介质层和所述刻蚀阻挡层，直至露出所述伪栅极的顶表面，及所述沟槽内的所述层间介质层中形成凹陷； 将所述伪栅极替换成栅极材料，所述栅极材料填充所述凹陷； 采用化学干法刻蚀工艺刻蚀所述栅极材料，直至露出所述凹陷的内壁； 对所述栅极材料和所述层间介质层进行平坦处理，形成栅极，所述栅极远离所述基底的顶表面和所述层间介质层远离所述基底的顶表面齐平。
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