苏州晶歌半导体有限公司戴文武获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉苏州晶歌半导体有限公司申请的专利MOCVD生长含Al和Sb的外延材料的方法及含Al和Sb的外延材料获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121556135B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610084295.8，技术领域涉及：C30B25/16；该发明授权MOCVD生长含Al和Sb的外延材料的方法及含Al和Sb的外延材料是由戴文武;黄勇设计研发完成，并于2026-01-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本MOCVD生长含Al和Sb的外延材料的方法及含Al和Sb的外延材料在说明书摘要公布了：本发明公开了一种MOCVD生长含Al和Sb的外延材料的方法及含Al和Sb的外延材料。所述方法包括：在生长所述外延材料的过程中，不同时通入Al源和Sb源。本发明至少具有以下优点之一：一、采用循环分段式间隔通入Al与Sb的方法，有效避免了Al与Sb的预反应，可以生长出高Sb组分的含Al和Sb的外延材料；二、合理科学地设计了循环分段式通入方法中分段通入的第一时长、第二时长，间隔的第三时长，以及总时长，使得能够生长出高质量的含Al和Sb的外延材料。
本发明授权MOCVD生长含Al和Sb的外延材料的方法及含Al和Sb的外延材料在权利要求书中公布了：1.一种MOCVD生长含Al和Sb的外延材料的方法，其特征在于，所述方法包括：在生长所述外延材料的过程中，不同时通入Al源和Sb源，采用循环分段式间隔通入Al源和Sb源来进行生长，通入Al源的第一时长和通入Sb源的第二时长之间间隔第三时长，通入Al源的第一时长和通入Sb源的第二时长为2-4秒。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人苏州晶歌半导体有限公司，其通讯地址为：215000 江苏省苏州市张家港经济技术开发区福新路1202号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励