宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司刘洁获国家专利权
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龙图腾网获悉宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司申请的专利改善111晶向器件面内VF值均匀性的拉晶方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121610888B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610154124.8，技术领域涉及：C30B15/20；该发明授权改善111晶向器件面内VF值均匀性的拉晶方法是由刘洁;张友海;杨凯;王黎光;芮阳;曹启刚;刘彦鹏设计研发完成，并于2026-02-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本改善111晶向器件面内VF值均匀性的拉晶方法在说明书摘要公布了：一种改善111晶向器件面内VF值均匀性的拉晶方法，包括：在重掺拉制单晶硅棒时，当晶棒进入等径阶段时，依据第一预定等径长度对Gap值进行调整；所述第一预定等径长度包括第一一预定长度、第一二预定长度及第一三预定长度；在第一一预定长度内，保持第一Gap值恒定；第一二预定长度内，将第一Gap值以线性速率下降至第二Gap值；在第一三预定长度内，保持第二Gap值恒定；所述第一Gap值为25‑30mm；所述第二Gap值为20mm。
本发明授权改善111晶向器件面内VF值均匀性的拉晶方法在权利要求书中公布了：1.一种改善111晶向器件面内VF值均匀性的拉晶方法，其特征在于，包括：在重掺拉制单晶硅棒时，当晶棒进入等径阶段时，依据第一预定等径长度对Gap值进行调整； 所述第一预定等径长度包括第一一预定长度、第一二预定长度及第一三预定长度；在第一一预定长度内，保持第一Gap值恒定；第一二预定长度内，将第一Gap值以线性速率下降至第二Gap值；在第一三预定长度内，保持第二Gap值恒定；所述第一Gap值为25-30mm；所述第二Gap值为20mm； 所述第一一预定长度为从晶棒等径开始，至晶棒等径至整体等径长度的10%；所述第一二预定长度为从晶棒等径至整体等径长度的10%开始，至晶棒等径至整体等径长度的90%结束；所述第一三预定长度为从晶棒等径至整体等径长度的90%开始，至晶棒等径结束。
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