合肥晶合集成电路股份有限公司蔡承佑获国家专利权
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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利寄生MIM电容及其制备方法、图像传感器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121619876B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610142878.1，技术领域涉及：H10D1/68；该发明授权寄生MIM电容及其制备方法、图像传感器是由蔡承佑;丁美平;陆莹莹;宋伟政;石伟设计研发完成，并于2026-02-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本寄生MIM电容及其制备方法、图像传感器在说明书摘要公布了：本申请涉及一种寄生MIM电容及其制备方法、图像传感器，包括提供设置有浅沟槽隔离结构的半导体基底；基于预设掩模版，于浅沟槽隔离结构远离半导体基底的一侧形成刻蚀减速结构和栅极结构；于刻蚀减速结构远离浅沟槽隔离结构的一侧依次形成绝缘层和布线层结构，布线层结构包括第一电容电极板；自半导体基底远离浅沟槽隔离结构的一侧形成第一开口以及第二开口；第一开口与刻蚀减速结构位置对应，且第一开口延伸至绝缘层，第二开口延伸至布线层结构；于第一开口内以及第二开口内填充导电材料，以在第一开口内形成第二电容电极板，且在第二开口内形成焊盘结构。本申请可依据已有掩膜版制备MIM电容，无需为MIM电容设计和制造专门的掩膜版，节省了制造成本。
本发明授权寄生MIM电容及其制备方法、图像传感器在权利要求书中公布了：1.一种寄生MIM电容的制备方法，其特征在于，包括： 提供半导体基底，所述半导体基底内设置有浅沟槽隔离结构； 基于预设掩模版，于所述浅沟槽隔离结构远离所述半导体基底的一侧形成刻蚀减速结构和栅极结构； 于所述刻蚀减速结构远离所述浅沟槽隔离结构的一侧依次形成绝缘层和布线层结构，所述布线层结构包括第一电容电极板； 自所述半导体基底远离所述浅沟槽隔离结构的一侧形成第一开口以及第二开口；所述第一开口与所述刻蚀减速结构位置对应，且所述第一开口延伸至所述绝缘层，所述第二开口延伸至所述布线层结构； 于所述第一开口内以及所述第二开口内填充导电材料，以在所述第一开口内形成第二电容电极板，且在所述第二开口内形成焊盘结构； 其中，所述第一电容电极板、所述第二电容电极板以及所述第一电容电极板与所述第二电容电极板之间的部分所述绝缘层组成MIM电容。
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