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龙图腾网获悉广东芯粤能半导体有限公司申请的专利SiC MOSFET结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121619905B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610114442.1，技术领域涉及：H10D30/62；该发明授权SiC MOSFET结构及其制备方法是由朱普磊;杨文敏;杨宗鹏;王甫;黄秀洪;杨先啓设计研发完成，并于2026-01-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本SiC MOSFET结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请涉及一种SiCMOSFET结构及其制备方法，包括：衬底，衬底内包括经由衬底的第一表面向衬底内延伸的第一类型阱区；阱区内包括沿第一方向间隔排列，并沿第二方向延伸的第二类型源区；第二类型掺杂柱，位于相邻源区之间的阱区内，并沿第三方向延伸并贯穿阱区；掺杂柱的第一宽度小于相邻源区之间的阱区的第一宽度；多个沟槽，沿第三方向延伸，其底面高于阱区的底面；多个沟槽沿第一方向延伸，沿第二方向间隔排列；栅极，位于相邻源区之间阱区及掺杂柱的顶面上，包括位于多个沟槽内的沟槽栅。沟道迁移率相比沟槽器件提升约10倍，在此情况下，器件的电流密度得到极大的提高，芯片面积可进一步缩小，极大提高经济效益。

本发明授权SiC MOSFET结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种SiCMOSFET结构，其特征在于，包括：衬底，所述衬底内包括经由所述衬底的第一表面向所述衬底内延伸的第一类型阱区；所述阱区内包括沿第一方向间隔排列，并沿第二方向延伸的第二类型源区； 第二类型掺杂柱，位于相邻所述源区之间的阱区内，并沿第三方向延伸并贯穿所述阱区，沿所述第二方向延伸；所述掺杂柱的第一宽度小于相邻所述源区之间的阱区的第一宽度； 多个沟槽，沿所述第三方向延伸，其底面高于所述阱区的底面；所述多个沟槽沿第一方向延伸，沿所述第二方向间隔排列； 栅极，位于相邻所述源区之间阱区及所述掺杂柱的顶面上，包括位于所述多个沟槽内的沟槽栅；其中，通过调整所述沟槽栅之间的外延层厚度，使得位于相邻沟槽之间的部分所述掺杂柱构成鳍状沟道区； 所述沟槽底部设置有第一类型屏蔽区，所述屏蔽区的第二宽度小于所述栅极的第二宽度，底面高于所述阱区的底面； 所述第一方向、所述第二方向及所述第三方向两两垂直；所述第一类型的导电类型与第二类型的导电类型相反；所述第一宽度用于表征沿所述第一方向的尺寸；所述第二宽度用于表征沿所述第二方向的尺寸。

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