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龙图腾网获悉中国人民解放军国防科技大学申请的专利一种射频开关器件的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121620093B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610131138.8，技术领域涉及：H10N70/00；该发明授权一种射频开关器件的制备方法是由黄贤俊;秦柳馨;梁圆龙;蔡雨轩设计研发完成，并于2026-01-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种射频开关器件的制备方法在说明书摘要公布了：本申请属于半导体器件技术领域，涉及一种射频开关器件的制备方法，包括：在衬底上沉积相变材料，得到相变材料层；在相变材料层上制备第一电极；在第一电极与相变材料层的连接处沉积导电牺牲层；在相变材料层上制备第二电极，并使第二电极覆盖导电牺牲层；去除第一电极与第二电极交界处的电极重叠顶帽，使导电牺牲层处于暴露状态；对导电牺牲层进行处理，使第一电极与第二电极之间形成纳米缝隙，并使第二电极与导电牺牲层形成半悬空结构，以第一电极作为射频开关器件的输入端，以第二电极作为射频开关器件的输出端，得到射频开关器件。本申请能够制备射频开关器件，并同时显著提高响应速度和功率耐受能力。

本发明授权一种射频开关器件的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种射频开关器件的制备方法，其特征在于，包括： 在衬底上沉积相变材料，得到相变材料层； 在相变材料层上制备一个金属电极并进行图形化，得到第一电极； 在第一电极与相变材料层的连接处沉积牺牲结构并进行图形化，得到导电牺牲层； 在相变材料层上制备另一个金属电极并进行图形化，得到第二电极，并使第二电极覆盖导电牺牲层； 采用化学机械抛光方法，去除第一电极与第二电极交界处的电极重叠顶帽，使导电牺牲层处于暴露状态； 采用湿法蚀刻方法，对导电牺牲层进行处理，使第一电极与第二电极之间形成纳米缝隙，并使第二电极与导电牺牲层形成半悬空结构，以第一电极作为射频开关器件的输入端，以第二电极作为射频开关器件的输出端，得到射频开关器件； 第二电极与导电牺牲层形成半悬空结构，包括： 第一电极、第二电极、相变材料层以及导电牺牲层之间形成截面为“L”形的空隙结构； 当超过功率阈值的微波信号输入射频开关时，在纳米缝隙内产生金属等离子体，产生纳米缝隙金属等离子体导通； 在微波信号输入射频开关后、纳米等离子体导通的过程中，相变材料从绝缘态相变至金属态形成通路，实现信号能量传递路径由纳米等离子体切换至相变材料处，材料完成相变； 当不超过功率阈值的微波信号输入射频开关时，射频开关不导通。

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