苏州中熙精密电机有限公司贺可欣获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州中熙精密电机有限公司申请的专利一种基于机器视觉的晶圆半导体制造方法及系统获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN121693114B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202610188952.3,技术领域涉及:H10P74/20;该发明授权一种基于机器视觉的晶圆半导体制造方法及系统是由贺可欣;贺小华设计研发完成,并于2026-02-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于机器视觉的晶圆半导体制造方法及系统在说明书摘要公布了:本申请公开了一种基于机器视觉的晶圆半导体制造方法及系统,所述方法包括以下步骤:根据晶圆区域胶厚差异数据选择特定光照参数进行曝光,并对差异区域的显影结果对应胶体残留情况进行烘烤参数动态调整;对烘烤后的所述晶圆区域光刻胶图形进行分析后预测出刻蚀轮廓,将混合气体以线条格式通过形式实现刻蚀模拟后获得安全气体参数,对变形区域进行分级并进行刻蚀效果评定后对刻蚀操作参数进行实时调控;采用喷淋式气体对所述晶圆区域进行薄膜沉积控制操作,进行单离子‑晶格碰撞模拟后获得多离子与晶格的反应情况,并对副产物进行检测与影响分析,调控离子注入参数保证晶格安全反应,本发明具有提高准确性和高效性的特点。
本发明授权一种基于机器视觉的晶圆半导体制造方法及系统在权利要求书中公布了:1.一种基于机器视觉的晶圆半导体制造方法,其特征在于:所述方法包括以下步骤: 根据晶圆区域胶厚差异数据选择特定光照参数进行曝光,并对差异区域的显影结果对应胶体残留情况进行烘烤参数动态调整; 对烘烤后的所述晶圆区域光刻胶图形进行分析后预测出刻蚀轮廓,将混合气体以线条格式通过形式实现刻蚀模拟后获得安全气体参数,对变形区域进行分级并进行刻蚀效果评定后对刻蚀操作参数进行实时调控; 采用喷淋式气体对所述晶圆区域进行薄膜沉积控制操作,构建气体流量与沉积速率模型后对风速及喷淋位置进行动态调整,进行单离子-晶格碰撞模拟后获得多离子与晶格的反应情况,并对副产物进行检测与影响分析,调控离子注入参数保证晶格安全反应。
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