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龙图腾网获悉中国科学技术大学申请的专利MOSFET饱和电流物理建模与版图优化方法及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121706712B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610216454.5，技术领域涉及：G06F30/392；该发明授权MOSFET饱和电流物理建模与版图优化方法及系统是由王进红;汪骋;谭傲;陈高昊;胡雪野设计研发完成，并于2026-02-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本MOSFET饱和电流物理建模与版图优化方法及系统在说明书摘要公布了：本发明公开了一种MOSFET饱和电流物理建模与版图优化方法及系统，它们是相关的方案，方案中：基于有效迁移率提取技术与准弹道输运理论，将阻抗分解为弹道注入阻抗与沟道散射阻抗，由此构建高精度的MOSFET饱和电流物理模型，由此提取出的物理参数修正紧凑模型后，可以实现对饱和电流的精准预测；并且，基于建模方案构建初始版图，结合热签名判据界定MOSFET器件饱和电流物理模型的热失效边界，进而基于该热失效边界对初始版图进行几何约束，生成抑制自热效应的多指并联版图结构；总体而言，本发明提供的方案，显著降低了紧凑模型预测偏差，并可显著降低低温驱动器与低噪声放大器的大信号线性度退化风险，为设计提供可靠保障。

本发明授权MOSFET饱和电流物理建模与版图优化方法及系统在权利要求书中公布了：1.一种MOSFET饱和电流物理建模方法，其特征在于，包括： 在低于设定温度的温区下测量CMOS器件，获得原始电流与电压数据；其中，CMOS为互补金属氧化物半导体； 基于线性区有效迁移率提取技术，对原始电压进行预处理，提取源极串联电阻与线性区阈值电压；基于线性区阈值电压，利用亚阈值特性提取饱和区阈值电压，并结合源极串联电阻与原始电流修正源极电势，获得饱和区有效过驱动电压，包括：利用线性区与饱和区亚阈值曲线的水平偏移量，计算饱和区阈值电压：；其中，为饱和区阈值电压，为线性区阈值电压；结合源极串联电阻修正源极电势，获得饱和区有效过驱动电压：；其中，为饱和区有效过驱动电压；为饱和区漏源电流，其属于原始电流；为栅源电压，其属于原始电压；为源极串联电阻； 基于准弹道输运理论，并结合饱和区有效过驱动电压构建CMOS器件的MOSFET饱和电流物理模型；其中，MOSFET饱和电流物理模型包含弹道注入阻抗与沟道散射阻抗，MOSFET为金属氧化物半导体型场效应管； 对MOSFET饱和电流物理模型进行线性化，并通过回归运算提取出有效注入速度与散射参数，并由此修正紧凑模型。

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