沈阳盈芯半导体科技有限公司李国军获国家专利权
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龙图腾网获悉沈阳盈芯半导体科技有限公司申请的专利一种新型的MPCVD蝶形下腔体气体均流结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN224148174U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520957728.7，技术领域涉及：C23C16/511；该实用新型一种新型的MPCVD蝶形下腔体气体均流结构是由李国军;牛文浩;宁一龙设计研发完成，并于2025-05-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种新型的MPCVD蝶形下腔体气体均流结构在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种新型的MPCVD蝶形下腔体气体均流结构，涉及气体均流结构的技术领域，本实用新型旨在解决沉积不均匀的问题，本实用新型包括上腔体、下腔体、进气口、中心基台和排气口，所述上腔体通过密封圈安装在下腔体上，所述中心基台设置在上腔体中，所述进气口设置在上腔体上方。在下腔体底部设计多个均匀分布的排气管和缓冲腔，以实现气体的均匀排出，通过计算流体力学CFD模拟，优化排气管的数量、内径大小以及排气管的位置，确保气体在腔体内的均匀流动，显著提高沉积厚度的均匀性。
本实用新型一种新型的MPCVD蝶形下腔体气体均流结构在权利要求书中公布了：1.一种新型的MPCVD蝶形下腔体气体均流结构，包括上腔体1、下腔体2、进气口3、中心基台4和排气口7，所述上腔体1通过密封圈安装在下腔体2上，所述中心基台4设置在上腔体1中，所述进气口3设置在上腔体1上方，所述排气口7设置在下腔体2的下方，其特征在于：所述下腔体2的下方设置有多个排气管5，所述排气口7的上方设置有中空结构的缓冲腔6，且排气管5两端分别与缓冲腔6内部和上腔体1内部连通。
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