台湾积体电路制造股份有限公司赖柏宇获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体器件的导电特征及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114725017B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210186160.4，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权半导体器件的导电特征及其形成方法是由赖柏宇;李锦思;吴思桦;梁顺鑫;朱家宏;林耕竹;王菘豊设计研发完成，并于2022-02-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件的导电特征及其形成方法在说明书摘要公布了：本公开总体涉及半导体器件的导电特征及其形成方法。一种方法包括：在衬底之上形成器件区域；在器件区域之上形成第一电介质层；在第一电介质层中形成开口；沿着开口的侧壁和底表面共形地沉积第一导电材料；在第一导电材料上沉积第二导电材料以填充开口，其中，第二导电材料不同于第一导电材料；以及执行第一热工艺以形成从第一导电材料的第一区域延伸到第二导电材料的第二区域的界面区域，其中，界面区域包括第一导电材料和第二导电材料的均匀混合物。
本发明授权半导体器件的导电特征及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种形成半导体器件的方法，包括： 在衬底之上形成器件区域； 在所述器件区域之上形成第一电介质层； 在所述第一电介质层中形成开口； 沿着所述开口的侧壁和底表面来共形地沉积第一导电材料； 在所述第一导电材料上沉积第二导电材料以填充所述开口，其中，所述第二导电材料不同于所述第一导电材料； 执行第一热工艺以形成从所述第一导电材料的第一区域延伸到所述第二导电材料的第二区域的界面区域，其中，所述界面区域包括所述第一导电材料和所述第二导电材料的均匀混合物； 执行平坦化工艺以去除多余的第一导电材料和多余的第二导电材料； 在执行所述平坦化工艺之后，在所述第二导电材料之上沉积帽盖层，其中，所述帽盖层包括所述第二导电材料；以及 形成围绕并覆盖所述帽盖层的第一导电特征。
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