买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉铠侠股份有限公司申请的专利半导体装置及半导体存储装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115117174B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110986745.X，技术领域涉及：H10D30/67；该发明授权半导体装置及半导体存储装置是由侧瀬聡文;坂田敦子设计研发完成，并于2021-08-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体装置及半导体存储装置在说明书摘要公布了：实施方式提供一种耐热性高的半导体装置及半导体存储装置。实施方式的半导体装置具备：氧化物半导体层，包含第1部分、第2部分、及第1部分与第2部分之间的第3部分；栅极电极；第3部分与栅极电极之间的栅极绝缘层；第1电极，电连接于第1部分，包含第1区域、第2区域、第3区域、及第4区域，第1区域位于第1部分与第2区域之间，第1区域位于第3区域与第4区域之间，第1区域包含选自由In、Zn、Sn、及Cd所组成的群中的至少一种元素及氧，第2区域包含选自由Ti、Ta、W、及Ru所组成的群中的至少一种金属元素，第3区域及第4区域包含至少一种金属元素及O，第3区域及第4区域的氧原子浓度高于第2区域；及第2电极，电连接于第2部分。

本发明授权半导体装置及半导体存储装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，具备： 氧化物半导体层，包含第1部分、第2部分、及所述第1部分与所述第2部分之间的第3部分； 栅极电极，在与所述氧化物半导体层交叉的方向上延伸； 栅极绝缘层，设置在所述第3部分与所述栅极电极之间； 第1电极，电连接于所述第1部分，所述第1电极包含第1区域、第2区域、第3区域、及第4区域，所述第1区域位于所述第1部分与所述第2区域之间，所述第1区域位于所述第3区域与所述第4区域之间，所述第3区域位于所述第2区域的所述氧化物半导体层侧，所述第4区域位于所述第2区域的所述氧化物半导体层侧，所述第1区域包含选自由铟In、锌Zn、锡Sn、及镉Cd所组成的群中的至少一种元素及氧O，所述第2区域包含选自由钛Ti、钽Ta、钨W、及钌Ru所组成的群中的至少一种金属元素，所述第3区域包含所述至少一种金属元素及氧O，所述第4区域包含所述至少一种金属元素及氧O，所述第3区域的氧O的原子浓度高于所述第2区域的氧O的原子浓度，所述第4区域的氧O的原子浓度高于所述第2区域的氧O的原子浓度；以及 第2电极，电连接于所述第2部分，在所述第2电极与所述第1电极之间设有所述氧化物半导体层。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人铠侠股份有限公司，其通讯地址为：日本东京；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。