上海科技大学祝智峰获国家专利权
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龙图腾网获悉上海科技大学申请的专利无需外场辅助的垂直磁化反铁磁磁存储器及其存储方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115458002B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210930415.3，技术领域涉及：G11C11/16；该发明授权无需外场辅助的垂直磁化反铁磁磁存储器及其存储方法是由祝智峰;徐正德;任杰;袁正平设计研发完成，并于2022-08-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本无需外场辅助的垂直磁化反铁磁磁存储器及其存储方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种无需外场辅助的垂直磁化反铁磁磁存储器及其存储方法，包括从上至下的反铁磁层、绝缘层和重金属层，反铁磁层和重金属层的两组写入电流在空间上相互垂直的，控制反铁磁层和重金属层的两组写入电流大小和方向，可控制反铁磁层中的Néel矢量向上或向下的状态，所述Néel矢量状态代表存储的不同信息。利用直流电流调控一种反铁磁装置的Néel矢量，实现数据写入，提高存储单元阵列排列密度，节约能耗。该垂直磁化反铁磁磁随机存储器存储单元，具有更高的磁矩翻转速度，并具有更好的存储稳定性，同时具有结构简单、速度快、抗杂散场扰动、非易失性的优点，本存储单元尤其在读写速度上更快。
本发明授权无需外场辅助的垂直磁化反铁磁磁存储器及其存储方法在权利要求书中公布了：1.一种无需外场辅助的垂直磁化反铁磁磁存储器，其特征在于，包括从上至下的反铁磁层、绝缘层和重金属层，反铁磁层和重金属层的两组写入电流在空间上相互垂直的，控制反铁磁层和重金属层的两组写入电流大小和方向，可控制反铁磁层中的Néel矢量向上或向下的状态，所述Néel矢量状态代表存储的不同信息。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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