深圳市汇芯通信技术有限公司许明伟获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳市汇芯通信技术有限公司申请的专利电子器件、高电子迁移率晶体管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115472501B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211145743.9，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权电子器件、高电子迁移率晶体管及其制备方法是由许明伟;樊晓兵设计研发完成，并于2022-09-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本电子器件、高电子迁移率晶体管及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开提供了一种电子器件、高电子迁移率晶体管及其制备方法。该制备方法包括：在一衬底上形成异质结结构；在栅极区域形成第一介质层、牺牲层、第二介质层以及保护层，第一介质层、牺牲层以及第二介质层层叠设置，保护层覆盖所述牺牲层侧壁；形成贯穿第二介质层以及牺牲层的凹槽；形成第三介质层，第三介质层保形地覆盖凹槽；在第三介质层上形成栅极；去除牺牲层，第三介质层位于凹槽侧壁的部分、保护层、以及第一介质层围成凹陷部；形成填充凹陷部的第四介质层，第四介质层位于凹陷部内的部分设有空气隙。本公开能够降低寄生电容。
本发明授权电子器件、高电子迁移率晶体管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种高电子迁移率晶体管的制备方法，其特征在于，包括： 在一衬底上形成异质结结构，所述异质结结构包括源极区域、漏极区域以及位于所述源极区域与所述漏极区域之间的栅极区域； 在所述栅极区域形成第一介质层、牺牲层、第二介质层以及保护层，所述第一介质层、牺牲层以及第二介质层层叠设置，所述第一介质层位于所述第二介质层与所述衬底之间，所述保护层覆盖所述牺牲层侧壁； 形成贯穿所述第二介质层以及所述牺牲层的凹槽； 形成第三介质层，所述第三介质层保形地覆盖所述凹槽； 在所述第三介质层上形成栅极； 去除所述牺牲层，所述第三介质层位于所述凹槽侧壁的部分、所述保护层、以及所述第一介质层围成凹陷部； 形成填充所述凹陷部的第四介质层，所述第四介质层位于所述凹陷部内的部分设有空气隙。
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