上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司马欣欣获国家专利权
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龙图腾网获悉上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司申请的专利伪栅加工方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115863161B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211648376.4，技术领域涉及：H10D64/01；该发明授权伪栅加工方法是由马欣欣;戴秋贇;何梦婷设计研发完成，并于2022-12-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本伪栅加工方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种伪栅加工方法，包括在设置于第一伪栅的基底上顺次沉积形成氮化介质层和第一疏松氧化介质层，研磨所述第一疏松氧化介质层直至所述第一疏松氧化介质层顶面与所述第一伪栅的伪栅介质层顶面之间垂直距离达到预设值，所述预设值大于0，再通过刻蚀和研磨交叉的工艺去除所述第一伪栅的伪栅介质层和部分侧墙结构。通过在所述基底上沉积形成覆盖所述第一伪栅露出表面的氮化介质层后，再沉积覆盖所述氮化介质层露出表面的第一疏松氧化介质层替代光刻胶，通过研磨和刻蚀工艺避免伪栅刻蚀光刻回刻工艺产生缺陷，减少基底损伤和避免多晶硅层残余缺陷影响后续金属栅填充。
本发明授权伪栅加工方法在权利要求书中公布了：1.一种伪栅加工方法，其特征在于，包括： S0：提供基底，所述基底顶面设置有第一伪栅，所述第一伪栅包括第一伪栅极和相对设置于所述第一伪栅极两侧的第一侧墙结构，所述第一伪栅极包括顺次堆叠的第一非晶硅层和第一伪栅介质层且所述第一伪栅介质层顶部露出； S1：在所述基底上顺次沉积形成覆盖所述第一伪栅露出表面的氮化介质层以及覆盖所述氮化介质层露出表面的第一疏松氧化介质层； S2：研磨所述第一疏松氧化介质层直至所述第一疏松氧化介质层顶面与所述第一伪栅介质层顶面之间垂直距离达到预设值，再以所述第一伪栅介质层为停止层刻蚀所述第一疏松氧化介质层和部分所述氮化介质层，所述预设值大于0； S3：以所述第一非晶硅层为停止层刻蚀所述第一伪栅介质层、部分所述第一侧墙结构和部分所述氮化介质层以形成凹槽，在所述基底上进行沉积形成填充所述凹槽的第二疏松氧化介质层； S4：以所述第一非晶硅层为停止层进行研磨，再刻蚀去除剩余所述第二疏松氧化介质层。
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