格科微电子(上海)有限公司陈林获国家专利权
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龙图腾网获悉格科微电子(上海)有限公司申请的专利背照式图像传感器的形成方法及背照式图像传感器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115863368B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111134733.0，技术领域涉及：H10F39/18；该发明授权背照式图像传感器的形成方法及背照式图像传感器是由陈林;陈金鑫;付文;许乐设计研发完成，并于2021-09-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本背照式图像传感器的形成方法及背照式图像传感器在说明书摘要公布了：本发明提供一种背照式图像传感器的形成方法及其图像传感器，所述形成方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底具有正表面以及与所述正表面对应的背表面；于半导体衬底预定区域形成深层钉扎区；于半导体衬底预定区域形成侧部隔离区；于半导体衬底预定区域形成光生载流子收集区；从半导体衬底背表面进行减薄，并于减薄后的半导体衬底背表面形成深沟槽隔离区；其中，所述侧部隔离区和深层钉扎区钉扎所述深沟槽隔离区的底面和或侧面。本发明通过设置深层钉扎区，以对深沟槽隔离区的底面和或侧面进行钉扎，从而减少图像传感器的暗电流及图像白点现象。
本发明授权背照式图像传感器的形成方法及背照式图像传感器在权利要求书中公布了：1.一种背照式图像传感器的形成方法，其特征在于，包括： 提供半导体衬底，所述半导体衬底具有正表面以及与所述正表面对应的背表面； 于半导体衬底预定区域形成深层钉扎区； 于半导体衬底预定区域形成侧部隔离区； 于半导体衬底预定区域形成光生载流子收集区； 从半导体衬底背表面进行减薄，并于减薄后的半导体衬底背表面形成深沟槽隔离区； 其中，所述深层钉扎区靠近所述半导体衬底的背表面，所述侧部隔离区为掺杂区，所述侧部隔离区和深层钉扎区钉扎所述深沟槽隔离区的底面和或侧面。
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