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龙图腾网获悉苏州龙驰半导体科技有限公司申请的专利LDMOS器件及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116504831B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210237016.9，技术领域涉及：H10D30/65；该发明授权LDMOS器件及其制作方法是由黄安东设计研发完成，并于2022-03-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本LDMOS器件及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种LDMOS器件及其制作方法。所述器件包括：第一导电类型的高阻的衬底、半导体层、绝缘层、栅极、第一和第二金属层；半导体层包括第一和第二半导体层；第二半导体层包括体区、漂移区、源区、漏区，源区设置在体区内并与体接触区相接触，漏区设置在漂移区内；第一半导体层包括第一和第二区域，第一区域与衬底配合形成pn结，第二区域分布于源区下方；第一金属层设置在绝缘层上，第二金属层设置在所述衬底第二面，第一金属层包括相互电性隔离的源区和漏区金属，源区金属还通过第三导电通孔与第二金属层电性连接，所述第三导电通孔与第一区域电性隔离。本发明所提供的器件结构有效降低了LDMOS器件的电容并减少了漏电。

本发明授权LDMOS器件及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种LDMOS器件，其特征在于，包括第一导电类型的高阻的衬底、半导体层、绝缘层、栅极、第一金属层和第二金属层； 其中，所述半导体层包括依次设置在所述衬底的第一面上的第一半导体层和第二半导体层； 所述第二半导体层包括体区、漂移区、源区、漏区，所述源区设置在体区内并与其中的体接触区相接触，所述漏区设置在漂移区内； 所述第一半导体层包括第二导电类型的第一区域和第一导电类型的第二区域，所述第一区域与所述衬底配合形成pn结，所述第二区域分布于源区下方并与所述衬底接触； 所述栅极设置在绝缘层内，所述第一金属层设置在绝缘层上，所述第二金属层设置在所述衬底与第一面相背的第二面上，并且所述第一金属层包括相互电性隔离的源区金属和漏区金属，所述源区金属通过贯穿所述绝缘层的第一导电通孔与源区和体接触区均电性连接，同时所述源区金属还通过沿厚度方向连续贯穿所述绝缘层、半导体层及衬底的第三导电通孔与第二金属层电性连接，所述漏区金属通过贯穿所述绝缘层的第二导电通孔与漏区电性连接； 所述第三导电通孔与第一区域电性隔离。

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