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龙图腾网获悉南京芯视界微电子科技有限公司申请的专利一种单光子雪崩二极管单元、探测器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116845120B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310852551.X，技术领域涉及：H10F77/14；该发明授权一种单光子雪崩二极管单元、探测器及其制备方法是由王申;杨振兴设计研发完成，并于2023-07-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种单光子雪崩二极管单元、探测器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种单光子雪崩二极管单元、探测器及其制备方法，SPAD单元在纵截面上包括：衬底，设置在所述衬底上表面的外延层及设置在所述外延层中的第一阱区，通过在第一阱区上下表面设置正向第二阱区、反向第二阱区，从而形成两个雪崩倍增区域来提高SPAD对不同波长的探测效率，其中接近表面的雪崩区域对短波长响应更灵敏，第一阱区与两个相邻的正向第二阱区、反向第二阱区形成的雪崩倍增区域碰撞电离强度大，提高了SPAD的探测效率，通过在纵向上设计叠加的PN结，充分地利用了SPAD的面积，为宽光谱响应，高探测效率，和小型化的SPAD阵列提供了新思路。

本发明授权一种单光子雪崩二极管单元、探测器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种单光子雪崩二极管单元，其特征在于，所述单光子雪崩二极管单元在纵截面上包括： 衬底； 设置在所述衬底上表面的外延层，在所述外延层中设置有第一阱区； 分别位于所述第一阱区上表面、所述第一阱区下表面的正向第二阱区、反向第二阱区；其中，所述第一阱区、所述正向第二阱区、所述反向第二阱区的第一侧纵向齐平；所述第一阱区与所述正向第二阱区、所述反向第二阱区之间分别形成PN结结构； 在所述第一阱区的第二侧、自所述第一阱区下表面沿纵向延伸至所述外延层上表面的第一高压阱区；在所述第一高压阱区顶部设置有第一电极接触； 在所述反向第二阱区的第一侧、自所述反向第二阱区下表面沿纵向延伸至所述外延层上表面的第二高压阱区；在所述第二高压阱区顶部设置有第二电极接触； 其中所述第一高压阱区围绕所述第一阱区第二侧和第四侧构成V型结构；所述第二高压阱区围绕所述正向第二阱区、第一阱区及反向第二阱区的第一侧和第三侧构成V型结构； 其中第一阱区在X方向的宽度远大于第一高压阱区；第二高压阱区沿Z方向延伸，其在Z方向的深度远大于正向第二阱区、反向第二阱区，而正向第二阱区、反向第二阱区沿X方向的宽度远大于第二高压阱区。

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