中电化合物半导体有限公司陈豆获国家专利权
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龙图腾网获悉中电化合物半导体有限公司申请的专利一种复合碳材料及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118344187B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410454494.4，技术领域涉及：C04B41/89；该发明授权一种复合碳材料及其制备方法是由陈豆;马远;潘尧波设计研发完成，并于2024-04-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种复合碳材料及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种复合碳材料及其制备方法，所述制备方法至少包括：提供一碳基体；将含钽化合物与有机溶剂混合，得到含钽浆料；将所述含钽浆料均匀覆盖在所述碳基体的表面，在所述碳基体上得到反应层；将钽粉均匀覆盖在所述反应层上，在所述反应层上得到钽金属涂层；在真空状态下，将带有所述钽金属涂层的所述碳基体加热至预设温度，保温预设时间；以及将加热后的所述碳基体冷却至室温，得到复合碳材料。通过本发明提供的复合碳材料及其制备方法，能够提高碳化钽涂层的致密性和质量。
本发明授权一种复合碳材料及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种复合碳材料的制备方法，其特征在于，至少包括以下步骤： 提供一碳基体； 将含钽化合物与有机溶剂混合，得到含钽浆料，所述含钽化合物包括氧化钽、卤化钽和钽醇盐中的至少一种； 将所述含钽浆料均匀覆盖在所述碳基体的表面，在所述碳基体上得到反应层； 将钽粉通过等离子喷涂、激光熔覆或加热中的任意一种方式，均匀覆盖在所述反应层上，在所述反应层上得到钽金属涂层； 在真空状态下，将带有所述钽金属涂层的所述碳基体加热至预设温度，保温预设时间，所述预设温度为2100-2400℃，所述预设时间为5-20h；以及 将加热后的所述碳基体冷却至室温，得到复合碳材料。
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