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龙图腾网获悉天津工业大学申请的专利一种持续测试静压的直流输出肖特基二极管传感器及其制备方法与应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121677990B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610187100.2，技术领域涉及：G01L1/00；该发明授权一种持续测试静压的直流输出肖特基二极管传感器及其制备方法与应用是由林童;刘晶晶;王红霞;马晶晶设计研发完成，并于2026-02-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种持续测试静压的直流输出肖特基二极管传感器及其制备方法与应用在说明书摘要公布了：本发明提供了一种持续测试静压的直流输出肖特基二极管传感器及其制备方法与应用，所述的传感器的内侧自上而下依次设置有第一电极、n型锗与第二电极，所述的传感器的外侧封装有树脂薄膜；所述的第一电极的功函数为4.0‑4.4eV，第一电极与n型锗形成欧姆接触；所述的第二电极的功函数大于4.4eV，第二电极与n型锗形成肖特基接触；所述的n型锗的厚度为0.7‑3.5mm，第一电极的厚度为0.1‑1mm，第二电极的厚度为0.1‑1mm。本发明突破了传统压电发电机需动态刺激且产生瞬时交流信号的限制，实现了在静压条件下持续输出直流电。本发明可作为自供电传感器应用于多个领域，用于长期监测静态机械刺激。

本发明授权一种持续测试静压的直流输出肖特基二极管传感器及其制备方法与应用在权利要求书中公布了：1.一种持续测试静压的直流输出肖特基二极管传感器，其特征在于：所述的直流输出肖特基二极管传感器在静态压缩条件下进行直流电输出； 所述的持续测试静压的直流输出肖特基二极管传感器的内侧自上而下依次设置有第一电极、n型锗与第二电极，所述的传感器的外侧封装有树脂薄膜； 所述的第一电极的功函数为4.0-4.4eV，第一电极与n型锗形成欧姆接触； 所述的第二电极的功函数大于4.4eV，第二电极与n型锗形成肖特基接触； 所述的n型锗的厚度为0.7-3.5mm，第一电极的厚度为0.1-1mm，第二电极的厚度为0.1-1mm； 所述的第一电极为金属锡电极；所述的第二电极为镀碳铜箔电极；n型锗的功函数为4.19eV； 所述的直流输出肖特基二极管传感器的有效面积为0.3-2.25cm2；所述的n型锗的电阻率为1.63×10-3-2.05×10-3Ω•cm，电子迁移率为2.15×103-4.26×103cm2V•s，载流子浓度为8.74×1017-1.42×1018cm-3。

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