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龙图腾网获悉宜矽源半导体南京有限公司申请的专利一种基于PMOS的高边分口充电方案获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN224164676U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-24发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520507559.7，技术领域涉及：H02J7/90；该实用新型一种基于PMOS的高边分口充电方案是由刘李炎;陈铭设计研发完成，并于2025-03-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于PMOS的高边分口充电方案在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种基于PMOS的高边分口充电方案，属于电池管理系统BMS技术领域，本实用新型包括高边分口充电模块，高边PMOS模块。本实用新型中，利用高边分口充电模块控制充电电流通断，高边PMOS模块为较大的充电电流通过路径，避免充电电压损耗。实现了高边分口充电场景下安全的实施较大电流充电。

本实用新型一种基于PMOS的高边分口充电方案在权利要求书中公布了：1.一种基于PMOS的高边分口充电方案，其特征在于，包含高边分口充电模块，高边PMOS模块，利用高边分口充电模块控制充电状态，高边PMOS模块提升整体系统的安全等级，且可以通过大电流，实现了高边分口充电场景下的不充电时，充电端C+不带电，所述高边分口充电模块包括：电池包总正B+、增强型nmos管Q1、电阻R2、电阻R1、稳压管Z1、高边充电控制信号CHG，电池包总正B+连接到Q1栅极以及R1和Z1正极，增强型nmos管Q1源极连接到电池包总正B+，栅极连接到R2，漏极连接到Q2源极和R3和Z2负极，R2连接到Q1栅极以及R1和Z1负极，R1连接到R2和Z1负极以及电池包总正B+和Z1正极，稳压管Z1正极连接到R1和电池包总正B+，负极连接到R1和R2和高边充电控制信号CHG，高边充电控制信号CHG连接到R2和R1和Z1负极，所述高边PMOS模块：增强型PMOS管Q2、高边分口充电端C+、R3、稳压管Z2、R4、高边PMOS控制信号P-CHG，增强型PMOS管Q2漏极连接到高边分口充电端C+，栅极连接到R3和Z2正极和R4，源极连接到R3和Z2负极和Q1漏极，高边分口充电端C+连接到Q2漏极，R3连接到Q1漏极和z2负极和Q2源极以及z2正极和R4和Q2栅极，稳压管z2负极连接到R3和Q1漏极和Q2源极，正极连接到R3和R4和Q2栅极，R4连接到R3和z2正极和Q2栅极以及高边PMOS控制信号P-CHG，高边PMOS控制信号P-CHG连接到R4。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人宜矽源半导体南京有限公司，其通讯地址为：210039 江苏省南京市雨花台区证大喜玛拉雅G栋809室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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