格芯(美国)集成电路科技有限公司亚历山大·德里克森获国家专利权
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龙图腾网获悉格芯(美国)集成电路科技有限公司申请的专利双极结型晶体管(BJT)结构及相关方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114582968B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111451235.9，技术领域涉及：H10D10/60；该发明授权双极结型晶体管(BJT)结构及相关方法是由亚历山大·德里克森;杨满圭;理查德·泰勒三世;贾加尔·辛格;亚历山大·马丁设计研发完成，并于2021-12-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本双极结型晶体管(BJT)结构及相关方法在说明书摘要公布了：本公开的实施例提供了双极结型晶体管BJT结构及相关方法。根据本公开的BJT可以包括位于半导体衬底之上的基极。集电极位于半导体衬底之上并横向邻接基极的第一水平端。发射极位于半导体衬底之上并横向邻接基极的与第一水平端相反的第二水平端。发射极和基极之间的水平界面小于集电极和基极之间的水平界面。
本发明授权双极结型晶体管(BJT)结构及相关方法在权利要求书中公布了：1.一种双极结型晶体管BJT结构，包括： 基极，其位于半导体衬底之上且包括内基极以及与所述内基极相邻的一对外基极，所述内基极具有在第一方向上的第一对水平端以及在垂直于所述第一方向的第二方向上的第二对水平端，所述外基极中的每一个外基极邻近所述内基极的所述第一对水平端中的相应一个水平端； 集电极，其位于所述半导体衬底之上并横向邻接所述内基极的所述第二对水平端中的选定一个水平端； 发射极，其位于所述半导体衬底之上并横向邻接所述内基极的所述第二对水平端中的另一个水平端，其中所述发射极和所述内基极之间的水平界面小于所述集电极和所述内基极之间的水平界面； 栅极结构，其位于所述内基极之上并在所述第一方向上横向位于所述外基极之间，其中所述栅极结构包括在所述内基极之上的栅极电介质层和位于所述栅极电介质层之上的栅极导体； 绝缘体，其横向邻接所述内基极，其中所述绝缘体将所述发射极与所述外基极水平地分隔开； 第一电压源，其耦接到所述栅极结构，其中所述第一电压源的电压电平使所述栅极结构向所述内基极施加反向偏置；以及 第二电压源，其耦接到所述一对外基极， 其中所述发射极和所述集电极中的一者耦接到地，以及所述发射极和所述集电极中的另一者耦接到所述第二电压源。
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