长江存储科技有限责任公司郑阿曼获国家专利权
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龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利半导体器件的制作方法以及半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114709169B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210259148.1，技术领域涉及：H10W20/00；该发明授权半导体器件的制作方法以及半导体器件是由郑阿曼;伍术设计研发完成，并于2022-03-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件的制作方法以及半导体器件在说明书摘要公布了：本申请提供了一种半导体器件的制作方法以及半导体器件，该方法包括：提供键合结构，键合结构包括依次设置的半导体结构、键合界面、台阶区域以及层叠结构；去除部分的层叠结构，使得台阶区域的远离键合界面的部分表面裸露，剩余的层叠结构形成多个间隔的半导体部，半导体部包括依次设置的第一导电部、绝缘介质部以及第二导电部，且各第一导电部的远离台阶区域的部分表面裸露；在键合结构的裸露表面上形成介质层；形成多个第一导电结构以及多个第二导电结构，第一导电结构贯穿介质层且与第一预定表面一一对应接触，第二导电结构贯穿介质层且与第二导电部的远离绝缘介质部的表面一一对应接触。该方法有利于减小半导体结构尺寸。
本发明授权半导体器件的制作方法以及半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括： 提供键合结构，所述键合结构包括依次设置的半导体结构、键合界面、台阶区域以及层叠结构，所述层叠结构包括依次设置的第一导电层、绝缘介质层以及第二导电层； 去除部分的所述层叠结构，使得所述台阶区域的远离所述键合界面的部分表面裸露，剩余的所述层叠结构形成多个间隔的半导体部，所述半导体部包括依次设置的第一导电部、绝缘介质部以及第二导电部，且各所述第一导电部的第一预定表面裸露，所述第一预定表面为所述第一导电部的远离所述台阶区域的部分表面； 在所述键合结构的裸露表面上形成介质层； 形成多个第一导电结构以及多个第二导电结构，所述第一导电结构贯穿所述介质层且与所述第一预定表面一一对应接触，所述第二导电结构贯穿所述介质层且与所述第二导电部的远离所述绝缘介质部的表面一一对应接触。
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