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龙图腾网获悉电子科技大学申请的专利具有反向续流能力的集成二极管的GaN HEMT纵向器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115332334B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211031103.5，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权具有反向续流能力的集成二极管的GaN HEMT纵向器件是由李泽宏;叶钰麒;赵一尚;任敏设计研发完成，并于2022-08-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本具有反向续流能力的集成二极管的GaN HEMT纵向器件在说明书摘要公布了：本发明属于功率半导体技术领域，涉及一种具有反向续流能力的集成二极管的GaNHEMT纵向器件。本发明电流沉降层、重掺杂的GaN或AlGaN势垒层和GaN沟道层之间的高浓度二维电子气浓度通过电流沉降层将电流转为纵向，改变了传统由栅漏之间的距离的横向耐压机理，同时集成了由电流沉降层和N+GaN层组成的续流二极管为GaN器件反向时提供电流流通路径。采用该结构可以减小元胞宽度，提高集成度，有效解决了GaN器件应用于高频情况下，由于过大的didt和dvdt产生的电流，为其提供泄放通道，增加GaN器件的抗didt和dvdt的能力。

本发明授权具有反向续流能力的集成二极管的GaN HEMT纵向器件在权利要求书中公布了：1.一种具有反向续流能力的集成二极管的GaNHEMT纵向器件，包括AlN成核层1、位于成核层1上的重掺杂AlGaN或GaN缓冲层2、位于所述重掺杂AlGaN或GaN缓冲层2上的轻掺杂GaN沟道层3、位于所述轻掺杂GaN沟道层3上的AlGaN势垒层4； 还包括位于所述AlN成核层1、重掺杂AlGaN或GaN缓冲层2、轻掺杂GaN沟道层3、AlGaN势垒层4侧面的GaN电流沉降层8，位于所述GaN电流沉降层8上方的N+重掺杂的GaN层12，位于所述GaN的电流沉降层8下方的P型掺杂的Si衬底10，位于所述P型掺杂的Si衬底10之下的金属化源极11； 还包括位于所述AlGaN势垒层4上的Mg掺杂的P-GaN盖帽层6；位于所述Mg掺杂的P-GaN盖帽层6上的肖特基接触栅极5；位于所述肖特基接触栅极5右侧的金属化漏极7；位于肖特基接触栅极5和金属化漏极7之间且AlGaN势垒层4之上的Si3N4钝化层9；位于所述Si3N4钝化层9之上的N+掺杂的GaN层12；所述金属化漏极7和轻掺杂GaN沟道层3形成欧姆接触； 其特征在于：栅源电压大于阈值电压时使得沟道二维电子气开启，漏源电压大于0时所述金属化漏极7、轻掺杂GaN沟道层3、GaN的电流沉降层8、金属化源极11能够实现半导体器件的正向导通；金属化源极11和金属化漏极7之间的GaN电流沉降层8和N+掺杂的GaN层12组成PN结，从而实现续流二极管。

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