中国科学院半导体研究所冯银红获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院半导体研究所申请的专利一种抛光后砷化铟晶片的亚表面损伤的腐蚀检测方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116380891B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310041597.3，技术领域涉及：G01N21/84；该发明授权一种抛光后砷化铟晶片的亚表面损伤的腐蚀检测方法是由冯银红;沈桂英;赵有文;杨俊;谢辉;刘京明设计研发完成，并于2023-01-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种抛光后砷化铟晶片的亚表面损伤的腐蚀检测方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种抛光后砷化铟晶片的亚表面损伤的腐蚀检测方法，包括：将抛光后砷化铟晶片进行预处理，得到预处理后的抛光后砷化铟晶片；将预处理后的抛光后砷化铟晶片置于第一腐蚀液中腐蚀预设时间，得到经第一腐蚀液腐蚀后的抛光后砷化铟晶片，第一腐蚀液由磷酸和过氧化氢配制而成；对经第一腐蚀液腐蚀后的抛光后砷化铟晶片置于第二腐蚀液中腐蚀预设时间，得到经第二腐蚀液腐蚀后的抛光后砷化铟晶片，第二腐蚀液由盐酸和水配制而成；将经第二腐蚀液腐蚀后的抛光后砷化铟晶片进行清洁干燥后，对经第二腐蚀液腐蚀后的抛光后砷化铟晶片进行显微观察，确定经第二腐蚀液腐蚀后的抛光后砷化铟晶片的表面腐蚀浅坑的数量和腐蚀浅坑的分布情况。
本发明授权一种抛光后砷化铟晶片的亚表面损伤的腐蚀检测方法在权利要求书中公布了：1.一种抛光后砷化铟晶片的亚表面损伤的腐蚀检测方法，包括： 将抛光后砷化铟晶片进行预处理，得到预处理后的抛光后砷化铟晶片； 将预处理后的所述抛光后砷化铟晶片置于第一腐蚀液中腐蚀预设时间，得到经第一腐蚀液腐蚀后的抛光后砷化铟晶片，其中，所述第一腐蚀液由磷酸和过氧化氢配制而成； 对所述经第一腐蚀液腐蚀后的抛光后砷化铟晶片置于第二腐蚀液中腐蚀预设时间，得到经第二腐蚀液腐蚀后的抛光后砷化铟晶片，其中，所述第二腐蚀液由盐酸和水配制而成； 将所述经第二腐蚀液腐蚀后的抛光后砷化铟晶片进行清洁干燥后，对所述经第二腐蚀液腐蚀后的抛光后砷化铟晶片进行显微观察，确定所述经第二腐蚀液腐蚀后的抛光后砷化铟晶片的表面腐蚀浅坑的数量和所述腐蚀浅坑的分布情况，其中，所述腐蚀浅坑的数量表征所述抛光后砷化铟晶片的亚表面损伤的程度，所述腐蚀浅坑的分布情况表征所述抛光后砷化铟晶片的亚表面损伤的分布情况。
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