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龙图腾网获悉合肥工业大学申请的专利嵌入SU-8胶基底的用于CTCs捕获和分析的微流控芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116466081B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310422130.3，技术领域涉及：G01N33/569；该发明授权嵌入SU-8胶基底的用于CTCs捕获和分析的微流控芯片是由高荣科;杨懂懂;于连栋;夏豪杰设计研发完成，并于2023-04-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本嵌入SU-8胶基底的用于CTCs捕获和分析的微流控芯片在说明书摘要公布了：本发明公开了一种嵌入SU‑8胶基底的用于CTCs捕获和分析的微流控芯片，包括以下步骤：倒金字塔凹坑阵列硅母膜的制备；二次倒模加压印制备金字塔微锥阵列SU‑8胶基底；微纳加工制备SU‑8胶基底表面粗糙纳米形貌；电子束蒸镀金膜；SU‑8胶基底上修饰适体；微流控芯片的制备；嵌入基底式芯片的封接；SU‑8胶基底的表征；本发明的金字塔微锥阵列SU‑8胶基底，其具备微纳异质结构的微锥阵列拥有良好的SERS特性，在修饰完适体后通过基底的物理特性和适体的亲和力结合，有着较高的CTCs捕获效率。微流控芯片与SERS基底的结合，提升了捕获效率，提供了同时具备捕获和SERS检测CTCs的平台。

本发明授权嵌入SU-8胶基底的用于CTCs捕获和分析的微流控芯片在权利要求书中公布了：1.一种嵌入SU-8胶基底的用于CTCs捕获和SERS分析的微流控芯片，其特征在于，所述的微流控芯片的制成包括以下步骤： 步骤S1，倒金字塔凹坑阵列硅母膜的制备； 步骤S10，在二氧化硅SiO氧化膜的硅片上进行光刻，获得边长为160um、间隔为30um且每列交错排列的正方形窗口； 步骤S11，利用氢氟酸将窗口内暴露在外的SiO膜去除； 步骤S12，图案被转移到SiO膜层； 步骤S13，氢氧化钾KOH溶液加入异丙醇IPA和去离子水，得到KOH各向异性刻蚀液； 步骤S14，置于磁力搅拌器内，将已经开好窗口的硅片放入刻蚀，得到倒金字塔凹坑硅母模； 步骤S2，二次倒模加压印制备金字塔微锥阵列SU-8胶基底； 制备步骤为： 取聚甲基丙烯酸甲酯PMMA粉末，加入固化剂，搅拌溶解直到无明显粉末； 将步骤S1得到的硅母模沉入溶液底部，加热后进行固化； 固化后剥离得到PMMA模板； 取聚二甲基硅氧烷PDMS预聚物，加入固化剂搅拌，抽真空，无明显气泡后倒在PMMA模板上； 放入烘箱固化后剥离得到PDMS模板； 在PET薄膜上涂抹一层SU-8光刻胶； 用PDMS模板压印得到金字塔微锥阵列基底； 步骤S3，微纳加工制备SU-8胶基底表面粗糙纳米形貌； 将步骤S2制得的SU-8胶基底放入反应离子刻蚀机中，进行干法刻蚀； 步骤S4，电子束蒸镀金膜； 步骤S5，在镀金后的SU-8胶基底上修饰适体； 步骤S6，微流控芯片的制备； 所述的微流控芯片的制备的步骤为：通过光刻技术制备好芯片的阳模板，将PDMS和固化剂按照10:1的比例配置成混合液并搅拌，抽真空15min，无明显气泡后将混合液倒入装有硅阳模板的培养皿中，放入70度烘箱热烘两小时固化；将PDMS芯片揭下来并切割切成单块，得到微流控芯片； 步骤S7，嵌入基底式芯片的封接，具体为：将步骤S6中制备的微流控芯片用乙醇超声清洗10min，加热板70度烘干，取一片载玻片，与烘干的微流控芯片一同放入Plsma等离子清洗机中，抽真空90s，氧等离子体处理45s，将SU-8胶基底嵌入预留的腔室内进行封接，得到完整的微流控平台。

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