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龙图腾网获悉安徽光智科技有限公司申请的专利钛层-介质层刻蚀副产物处理方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116469761B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310228556.5，技术领域涉及：H10P50/26；该发明授权钛层-介质层刻蚀副产物处理方法是由朱景春;李海涛;汪志平;高玉波;李兆营;李传峰设计研发完成，并于2023-03-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本钛层-介质层刻蚀副产物处理方法在说明书摘要公布了：一种钛层‑介质层刻蚀副产物处理方法，包括步骤：步骤一，提供待刻蚀的钛层‑介质层复合膜层，包括衬底、介质层以及钛层；步骤二，图形化设置光刻胶，以露出部分的钛层，露出的钛层的线宽为100nm‑350nm；步骤三，将完成光刻胶设置的钛层‑介质层复合膜层置于双频等离子反应的腔室中；步骤四，双频等离子反应的腔室中进行主刻蚀，刻蚀气体为BCl3、Cl2和Ar，腔室的压力为8mT‑14mT，源功率为500W‑1200W，偏置功率为60W‑200W，BCl3的流量为20sccm‑200sccm，Cl2的流量为20sccm‑200sccm，Ar的流量为20sccm‑80sccm，刻蚀时间为20s‑45s；步骤五，双频等离子反应的腔室中进行反应副产物的清除，清除气体为O2，腔室的压力为8mT‑14mT，源功率为500W‑1200W，偏置功率为60W‑200W，O2的流量为60sccm‑120sccm，清除时间为10s‑30s；步骤六，在光刻胶去除设备中将光刻胶去除。

本发明授权钛层-介质层刻蚀副产物处理方法在权利要求书中公布了：1.一种钛层-介质层刻蚀副产物处理方法，其特征在于，包括步骤： 步骤一，提供待刻蚀的钛层-介质层复合膜层，钛层-介质层复合膜层包括依次设置的衬底、介质层以及钛层； 步骤二，图形化设置光刻胶在钛层上，以使光刻胶露出部分的钛层，露出的钛层的线宽为100nm-350nm； 步骤三，将步骤二的完成光刻胶设置的钛层-介质层复合膜层置于双频等离子反应的腔室中； 步骤四，双频等离子反应的腔室中进行主刻蚀，设定主刻蚀的腔室的压力、源功率、偏置功率以及刻蚀时间，通入腔室的刻蚀气体为BCl3、Cl2和Ar，从光刻胶露出的钛层的部位进行刻蚀，腔室的压力为8mT-14mT，源功率为500W-1200W，偏置功率为60W-200W，BCl3的流量为20sccm-200sccm，Cl2的流量为20sccm-200sccm，Ar的流量为20sccm-80sccm，刻蚀时间为20s-45s； 步骤五，双频等离子反应的腔室中进行步骤四产生的反应副产物的清除，设定清除的腔室的压力、源功率、偏置功率以及清除时间，通入腔室的清除气体为O2，腔室的压力为8mT-14mT，源功率为500W-1200W，偏置功率为60W-200W，O2的流量为60sccm-120sccm，清除时间为10s-30s，通过O2清除的反应副产物从双频等离子反应的腔室中抽走； 步骤六，在步骤五完成后在光刻胶去除设备中将光刻胶去除。

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