长鑫存储技术有限公司胡猛获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体设备及其处理方法、温度测量方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116487279B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210042732.1，技术领域涉及：H10P74/20；该发明授权半导体设备及其处理方法、温度测量方法是由胡猛设计研发完成，并于2022-01-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体设备及其处理方法、温度测量方法在说明书摘要公布了：本申请实施例公开了一种半导体设备及其处理方法、温度测量方法。其中，半导体设备包括：腔室，包括用于放置待处理晶圆的承载部件；热量提供装置，位于所述腔室的上方，用于向所述腔室中提供热源；调整板，位于腔室中且位于所述承载部件的下方；以及温度测量装置，位于所述调整板的下方，用于接收热辐射，并根据接收的热辐射输出测量的温度；其中，当所述待处理晶圆置于所述承载部件上时，所述调整板处于第一透光度，所述温度测量装置能够接收所述待处理晶圆透过所述调整板发射的热辐射；当所述待处理晶圆未置于所述承载部件上时，所述调整板处于第二透光度，所述温度测量装置能够接收所述调整板发射的热辐射；第一透光度不等于第二透光度。
本发明授权半导体设备及其处理方法、温度测量方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体设备，其特征在于，包括： 腔室，包括用于放置待处理晶圆的承载部件； 热量提供装置，位于所述腔室的上方，用于向所述腔室中提供热源； 调整板，位于腔室中且位于所述承载部件的下方；以及 温度测量装置，位于所述调整板的下方，用于接收热辐射，并根据接收的热辐射输出测量的温度；其中， 当所述待处理晶圆置于所述承载部件上时，所述调整板处于第一透光度，所述温度测量装置能够接收所述待处理晶圆透过所述调整板发射的热辐射；当所述待处理晶圆未置于所述承载部件上时，所述调整板处于第二透光度，所述温度测量装置能够接收所述调整板发射的热辐射；所述第一透光度不等于所述第二透光度。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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