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龙图腾网获悉西安理工大学申请的专利具有多参数老化补偿的SiC MOSFET结温测量方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116500404B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310436396.3，技术领域涉及：G01R31/26；该发明授权具有多参数老化补偿的SiC MOSFET结温测量方法是由杨媛;吕立根;侯陈睿;文阳设计研发完成，并于2023-04-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本具有多参数老化补偿的SiC MOSFET结温测量方法在说明书摘要公布了：本发明公开了具有多参数老化补偿的SiCMOSFET结温测量方法，通过实验分别建立阈值电压、开通延迟时间和导通电阻的温敏特性模型；搭建SiCMOSFET驱动与参数采集系统；在不同时间段采集三个电参数，即离线状态下的阈值电压、开通过程中的开通延迟时间和开通后工作过程中的导通电阻；利用阈值电压与开通延迟时间对SiCMOSFET工作过程中导通电阻的温敏特性进行老化补偿；利用老化补偿后的导通电阻作为温敏电参数预测出实时结温。本发明解决了测量SiCMOSFET结温时因器件老化引起的导通电阻变化，从而使结温测量结果严重偏移的问题，有效的保障SiCMOSFET健康、安全的工作。

本发明授权具有多参数老化补偿的SiC MOSFET结温测量方法在权利要求书中公布了：1.具有多参数老化补偿的SiCMOSFET结温测量方法，其特征在于，利用不同时间段采集三个电参数，电参数包括阈值电压、开通延迟时间和导通电阻，经过两级补偿后，使用补偿后的导通电阻实现SiCMOSFET结温在线测量，具体按照以下步骤实施： 步骤1、通过实验分别建立SiCMOSFET的阈值电压、开通延迟时间和导通电阻的温敏特性曲线模型； 步骤2、搭建SiCMOSFET驱动与参数采集系统，用于驱动SiCMOSFET通断，并且对所使用参数进行采集； 步骤3、在SiCMOSFET不工作时，利用采集到的壳温和阈值电压进行计算，得到阈值电压的偏移量，将此偏移量添加到步骤1所得的开通延迟时间与结温的曲线模型中进行补偿； 步骤4、在SiCMOSFET开通过程中，系统采集开通延迟时间，利用补偿后的开通延迟时间与结温的曲线模型计算出器件实时结温； 步骤5、采集导通电阻并根据步骤1所得的导通电阻温敏特性曲线模型计算结温，将步骤4的器件实时结温与步骤5计算所得结温进行对比，再计算导通电阻的变化量，将导通电阻的变化量添加到步骤1所得的导通电阻温敏特性曲线模型进行导通电阻的老化补偿； 步骤6、在补偿过程结束后，SiCMOSFET器件正常工作过程中利用补偿后的导通电阻温敏特性曲线模型进行SiCMOSFET结温测量。

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