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龙图腾网获悉上海炬佑智能科技有限公司申请的专利可编程、多功能的、多分辨率2D/3DCMOS图像传感器及其操作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116567443B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310486252.9，技术领域涉及：H04N25/766；该发明授权可编程、多功能的、多分辨率2D/3DCMOS图像传感器及其操作方法是由T·埃尔卡特比设计研发完成，并于2023-04-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本可编程、多功能的、多分辨率2D/3DCMOS图像传感器及其操作方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种可编程、多功能的、多分辨率2D3DCMOS图像传感器及其操作方法，其中，该可编程、多功能的、多分辨率2D3DCMOS图像传感器包括半导体衬底、像素阵列和芯片电路，像素阵列设置于半导体衬底上，像素阵列包括至少两个像素单元，每个像素单元中设置有光电门，每个光电门分别位于对应像素单元靠近相邻像素单元的一侧，两个相邻的光电门之间具有电隔离；芯片电路与光电门电连接，芯片电路用于对光电门进行编程，使得光电门在对应的一个像素单元中具有光敏性或在至少两个相邻的像素单元内具有光敏性。本方案可以集多种图像捕获功能于一体，满足用户需求。

本发明授权可编程、多功能的、多分辨率2D/3DCMOS图像传感器及其操作方法在权利要求书中公布了：1.一种可编程、多功能的、多分辨率2D3DCMOS图像传感器，其特征在于，包括： 半导体衬底； 像素阵列，所述像素阵列设置于所述半导体衬底上，所述像素阵列包括至少两个像素单元，每个所述像素单元中设置有光电门，每个所述光电门分别位于对应像素单元靠近相邻像素单元的一侧，两个相邻的所述光电门之间具有电隔离； 芯片电路，所述芯片电路与所述光电门电连接，所述芯片电路被配置为：对所述光电门进行编程，使得单个光电门仅获取对应光敏区域的光生电荷，从而使得每个像素单元作为一个第一2D像素单独运行；和或，通过对光电门进行编程，使得通过一个光电门获取至少两个相邻的光敏区域的光生电荷，从而使得至少两个相邻的像素单元组合成一个3D深度像素运行，以使所述CMOS图像传感器具有2D图像捕获功能和或3D深度图像捕获功能；当所述像素阵列中的单个像素单元作为一个第一2D像素时，根据应用需求将至少两个相邻的所述第一2D像素通过电荷聚合方式合并为一个第二2D像素，以对所述CMOS图像传感器的2D分辨率进行调整；当所述像素阵列中的至少两个相邻的所述像素单元作为一个3D深度像素时，根据应用需求对所述3D深度像素中的像素单元数量进行调整，以将所述3D深度像素编程为具有不同的测距机制的3D深度像素。

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